Technical requirements

THIẾT BỊ ĐẦU CUỐI THÔNG TIN DI ĐỘNG IMT-2000 CDMA

TRẢI PHỔ TRỰC TIẾP (W-CDMA FDD)

YÊU CẦU KỸ THUẬT

3.1 Thuật ngữ

3.2 Ký hiệu

3.3 Chữ viết tắt

4.1 Điều kiện môi trường

4.2 Các yêu cầu hợp chuẩn

5. Đo kiểm tính tuân thủ các yêu cầu kỹ thuật

5.1 Các điều kiện về môi trường đo kiểm

5.2 Giải thích các kết quả đo

5.3 Đo kiểm các tham số thiết yếu cho phần vô tuyến

Tiêu chuẩn Ngành TCN 68 - 245: 2006 “Thiết bị đầu cuối thông tin di động IMT-2000 CDMA trải phổ trực tiếp (W-CDMA FDD) - Yêu cầu kỹ thuật” được xây dựng trên cơ sở chấp thuận áp dụng các yêu cầu kỹ thuật của các tiêu chuẩn EN 301 908-2 V2.2.1 (2003-10) và EN 301 908-1 V2.2.1 (2003-10) của Viện Tiêu chuẩn Viễn thông châu Âu (ETSI).

Tiêu chuẩn Ngành TCN 68 - 245: 2006 do Viện Khoa học Kỹ thuật Bưu điện (RIPT) biên soạn theo đề nghị của Vụ Khoa học - Công nghệ và được ban hành theo Quyết định số 27/2006/QĐ-BBCVT ngày 25 tháng 7 năm 2006 của Bộ trưởng Bộ Bưu chính, Viễn thông.

Tiêu chuẩn Ngành TCN 68 - 245: 2006 được ban hành dưới dạng song ngữ (tiếng Việt và tiếng Anh). Trong trường hợp có tranh chấp về cách hiểu do biên dịch, bản tiếng Việt được áp dụng.

Tiêu chuẩn này áp dụng cho loại thiết bị vô tuyến sau đây:

Thiết bị người sử dụng trong hệ thống thông tin di động IMT-2000 CDMA trải phổ trực tiếp W-CDMA FDD (UTRA FDD).

Loại thiết bị vô tuyến này hoạt động trong toàn bộ hoặc một phần băng tần quy định trong bảng 1.

Yêu cầu kỹ thuật trong tiêu chuẩn này nhằm đảm bảo thiết bị vô tuyến sử dụng có hiệu quả phổ tần số vô tuyến được phân bổ cho thông tin mặt đất/vệ tinh và nguồn tài nguyên quĩ đạo để tránh nhiễu có hại giữa các hệ thống thông tin đặt trong vũ trụ và mặt đất và các hệ thống kỹ thuật khác.

Tiêu chuẩn này làm cơ sở cho việc chứng nhận hợp chuẩn thiết bị người sử dụng trong hệ thống thông tin di động IMT-2000 CDMA trải phổ trực tiếp W-CDMA FDD (UTRA FDD).

2. Tài liệu tham chiếu chuẩn

[1] ETSI EN 301 908-2 V2.2.1 (2003-10): “Electromagnetic compatibility and Radio spectrum Matters (ERM); Base Stations (BS), Repeaters and User Equipment (UE) for IMT-2000 Third-Generation cellular networks; Part 2: Harmonized EN for IMT-2000, CDMA Direct Spread (UTRA FDD) (UE) covering essential requirements of article 3.2 of R&TTE Directive”.

[2] ETSI EN 301 908-1 V2.2.1 (2003-10): “Electromagnetic compatibility and Radio spectrum Matters (ERM); Base Station (BS), Repeaters and User Equipment (UE) for IMT-2000 Third-Generation cellular networks; Part 1: Harmonized EN for IMT- 2000, introduction and common requirements, covering essential requirements of article 3.2 of R&TTE Directive”.

3. Thuật ngữ, ký hiệu và chữ viết tắt

3.1 Thuật ngữ

Thiết bị người sử dụng: Thiết bị di động có một hoặc một vài mô đun nhận dạng thuê bao UMTS (USIM). Thiết bị người sử dụng là một thiết bị cho phép một người sử dụng truy cập các dịch vụ mạng qua giao diện Uu.

Thiết bị phụ: Thiết bị dùng kết hợp với thiết bị người sử dụng (UE), được xem là thiết bị phụ nếu:

- Thiết bị được dự kiến dùng chung với thiết bị người sử dụng (UE) để cung cấp các tính năng điều khiển và/hoặc tính năng thao tác bổ sung cho thiết bị vô tuyến, (ví dụ để mở rộng điều khiển tới vị trí khác); và

- Thiết bị không thể sử dụng độc lập để cung cấp các chức năng đối tượng sử dụng độc lập của một UE; và

- Thiết bị người sử dụng (UE) mà thiết bị này kết nối tới, có khả năng cung cấp một số thao tác có chủ ý, ví dụ như phát và/hoặc thu mà không dùng thiết bị phụ.

a	Hệ số uốn của bộ lọc căn bậc hai côsin nâng, a = 0,22
DPCH_Ec	Năng lượng trung bình trên chip PN đối với DPCH
DPCH_Ec/Ior	Tỷ số giữa năng lượng phát trên chip PN đối với DPCH và mật độ phổ công suất phát tổng tại đầu nối ăng ten của Nút B (SS).
DPCCH_Ec/Ior	Tỷ số giữa năng lượng phát trên chip PN đối với DPCCH và mật độ phổ công suất phát tổng tại đầu nối ăng ten của Nút B (SS).
DPDCH_Ec/Ior	Tỷ số giữa năng lượng phát trên chip PN đối với DPDCH và mật độ phổ công suất phát tổng tại đầu nối ăng ten của Nút B (SS).
Ec	Năng lượng trung bình trên chip PN.
Ec/Ior	Tỷ số giữa năng lượng phát trung bình trên chip PN đối với các trường hoặc các kênh vật lý khác nhau và mật độ phổ công suất phát tổng.
Fuw	Tần số của tín hiệu không mong muốn. Giá trị này được chỉ định trong ngoặc đơn dưới dạng (các) tần số thuần tuý hoặc độ lệch tần số so với tần số kênh được cấp phát.
Ioac	Mật độ phổ công suất (được tích phân trong độ rộng băng bằng (1+ ) lần tốc độ chip và được chuẩn hóa theo tốc độ chip) của kênh tần số lân cận khi được đo tại đầu nối ăng ten của UE.
Ioc	Mật độ phổ công suất (được tích phân trong độ rộng băng tạp bằng tốc độ chip và được chuẩn hóa theo tốc độ chip) của nguồn tạp trắng có giới hạn băng (mô phỏng nhiễu từ các ô, các ô này không được xác định trong thủ tục đo kiểm) khi được đo tại đầu nối ăng ten của UE.
Ior	Mật độ phổ công suất phát tổng (được tích phân trong độ rộng băng bằng (1 + ) lần tốc độ chip và được chuẩn hóa theo tốc độ chip) của tín hiệu đường xuống khi được đo tại đầu nối ăng ten của nút B.
	Mật độ phổ công suất thu (được tích phân trong độ rộng băng bằng (1 +  ) lần tốc độ chip và được chuẩn hóa theo tốc độ chip) của tín hiệu đường xuống khi được đo tại đầu nối ăng ten của UE.
Iouw	Mức công suất của tín hiệu không mong muốn. OCNS_Ec Năng lượng trung bình trên chip PN đối với OCNS.
S-CCPCH_Ec	Năng lượng trung bình trên chip PN đối với S-CCPCH.

16QAM Điều chế biên độ cầu phương 16 trạng thái

ACLR Tỷ số công suất rò kênh lân cận

ACS Độ chọn lọc kênh lân cận

BER Tỷ số lỗi bit BLER Tỷ số lỗi khối BS Trạm gốc

CW Sóng liên tục (tín hiệu không được điều chế)

DCH Kênh riêng

DL Đường xuống

DPCH Kênh vật lý riêng

DPCCH Kênh điều khiển vật lý riêng

DPDCH Kênh dữ liệu vật lý riêng

DTX Phát không liên tục

e.i.r.p Công suất bức xạ đẳng hướng tương đương

EMC Tương thích điện từ

e.r.p Công suất bức xạ hiệu dụng

EUT Thiết bị đang được đo kiểm

FACH Kênh truy nhập xuống

FDD Ghép song công phân chia theo tần số

HS-PDSCH Kênh vật lý dùng chung đường xuống tốc độ cao

Tốc độ thông tin Tốc độ thông tin của người sử dụng, thông tin này phải được truyền qua giao diện vô tuyến. Ví dụ, tốc độ ra của bộ mã hóa thoại

LV Điện áp thấp

Nút B Nút logic chịu trách nhiệm phát/thu vô tuyến trong một hoặc nhiều ô tới/từ thiết bị người sử dụng

OCNS Bộ mô phỏng tạp trên kênh trực giao,

QPSK Khóa dịch pha cầu phương

P-CCPCH Kênh vật lý điều khiển chung sơ cấp

PCH Kênh nhắn tin

P-CPICH Kênh hoa tiêu chung sơ cấp

PICH Kênh chỉ báo nhắn tin

PN Tạp giả

PSD Mật độ phổ công suất

RF Tần số vô tuyến

RRC Điều khiển tài nguyên vô tuyến

RRC Căn bậc hai côsin nâng

R&TTE Thiết bị vô tuyến và thiết bị đầu cuối viễn thông

S-CCPCH Kênh vật lý điều khiển chung thứ cấp

SCH Kênh đồng bộ

SS Bộ mô phỏng hệ thống

TDD Ghép song công phân chia theo thời gian

TFC Tổ hợp khuôn dạng truyền tải

TFCI Bộ chỉ báo tổ hợp khuôn dạng truyền tải

TPC Điều khiển công suất phát

UARFCN Số kênh tần số vô tuyến thuần túy UTRA UE Thiết bị người sử dụng

UTRA Truy nhập vô tuyến mặt đất toàn cầu

4. Yêu cầu kỹ thuật

4.1 Điều kiện môi trường

Các yêu cầu kỹ thuật của tiêu chuẩn này áp dụng trong điều kiện môi trường hoạt động của thiết bị. Nhà cung cấp phải công bố điều kiện môi trường hoạt động của thiết bị. Thiết bị phải luôn tuân thủ mọi yêu cầu kỹ thuật của tiêu chuẩn này khi hoạt động trong các giới hạn biên của điều kiện môi trường hoạt động đã công bố.

Phụ lục A hướng dẫn nhà cung cấp thiết bị cách công bố điều kiện môi trường.

4.2 Các yêu cầu hợp chuẩn

4.2.1 Các tham số thiết yếu và các yêu cầu kỹ thuật tương ứng

Tiêu chuẩn này quy định 9 tham số thiết yếu cho thiết bị người sử dụng IMT-2000. Bảng 2 đưa ra tham chiếu chéo giữa 9 tham số thiết yếu này và 13 yêu cầu kỹ thuật tương ứng đối với thiết bị trong phạm vi của tiêu chuẩn này.

4.2.2.1 Định nghĩa

Công suất ra cực đại danh định và dung sai của nó được xác định theo loại công suất của UE.

Công suất danh định là công suất phát của UE, nghĩa là công suất trong độ rộng băng ít nhất bằng (1 + ) lần tốc độ chip của chế độ truy nhập vô tuyến. Khoảng thời gian đo ít nhất phải bằng một khe thời gian.

4.2.2.2 Giới hạn

Công suất ra cực đại của UE không được vượt quá giá trị chỉ ra ở bảng 3, ngay cả đối với chế độ truyền đa mã.

Sử dụng các phép đo kiểm hợp chuẩn mô tả trong mục 5.3.1.

4.2.3.1 Định nghĩa

Mặt nạ phổ phát xạ của UE áp dụng với các tần số cách tần số sóng mang trung tâm của UE từ 2,5 đến 12,5 MHz. Phát xạ bên ngoài kênh được chỉ định tương ứng với công suất trung bình đã lọc RRC của sóng mang UE.

4.2.3.2 Giới hạn

Công suất của bất cứ phát xạ UE nào cũng không được vượt quá các mức quy định trong bảng 4.

Bảng 4: Yêu cầu đối với mặt nạ phổ phát xạ

f (MHz)	Yêu cầu tối thiểu	Độ rộng băng đo
Từ 2,5 đến 3,5		30 kHz (xem chú ý 2)
Từ 3,5 đến 7,5		1 MHz (xem chú ý 3)
Từ 7,5 đến 8,5		1 MHz (xem chú ý 3)
Từ 8,5 đến 12,5	-47,5 dBc	1 MHz (xem chú ý 3)
Chú ý 1: f là khoảng cách giữa tần số sóng mang và tần số trung tâm của bộ lọc đo. Chú ý 2: Điểm đo đầu tiên và cuối cùng đối với bộ lọc 30 kHz là tại f bằng 2,515 MHz và 3,485 MHz. Chú ý 3: Điểm đo đầu tiên và cuối cùng đối với bộ lọc 1 MHz là tại f bằng 4 MHz và 12 MHz. Chú ý 4: Theo nguyên tắc chung, độ rộng băng phân giải của thiết bị đo phải bằng độ rộng băng đo. Để nâng cao độ chính xác, độ nhạy và hiệu quả của phép đo, độ rộng băng phân giải có thể khác với độ rộng băng đo. Khi độ rộng băng phân giải nhỏ hơn độ rộng băng đo, kết quả đo phải được tích phân trên độ rộng băng đo để thu được độ rộng băng tạp tương đương của độ rộng băng đo. Chú ý 5: Giới hạn dưới phải là -48,5 dBm/3,84 MHz.

4.2.3.3 Đo kiểm hợp chuẩn

Sử dụng các phép đo kiểm hợp chuẩn mô tả trong mục 5.3.2.

4.2.4.1 Định nghĩa

Phát xạ giả, không bao gồm các phát xạ ngoài băng, là những phát xạ tạo ra do các hiệu ứng không mong muốn của máy phát như: phát xạ hài, phát xạ ký sinh, các thành phần xuyên điều chế và các thành phần đổi tần.

4.2.4.2 Giới hạn

Các giới hạn trong bảng 5 và 6 chỉ áp dụng cho những tần số cách tần số sóng mang trung tâm của UE hơn 12,5 MHz.

Bảng 5: Các yêu cầu chung đối với phát xạ giả

Độ rộng băng tần	Độ rộng băng đo	Yêu cầu tối thiểu
9 kHz  f < 150 kHz	1 kHz	-36 dBm
150 kHz  f < 30 MHz	10 kHz	-36 dBm
30 MHz  f < 1000 MHz	100 kHz	-36 dBm
1 GHz  f < 12,75 GHz	1 MHz	-30 dBm