30
Trong khi đó đối với kim loại Cu, nếu so sánh với Ni và các kim loại khác
như Co thì lượng các nguyên tử cacbon thâm nhập vào trong mạng nền Cu là thấp
hơn rất nhiều. Ở nhiệt độ ~1084
o
C, chỉ có 0.001-0.008 wt.% nguyên tử
cacbon
thâm nhập vào trong mạng nền Cu. Trong khi đó ở nhiệt độ ~1326
o
C, lượng
nguyen tử C thâm nhập vào trong mạng nền Ni là 0.6 wt.%.
Hình 1.14: Mô tả sự thình thành màng graphen trên bề mặt kim loại với tốc độ hạ
nhiệt CVD khác nhau.
Hỉnh 1.15: Mô tả sự hình thành màng graphen trên mặt đế Ni với nguồn khí CH
4
.
Tuy nhiên những nghiên cứu đã chỉ ra rằng lớp màng graphen tổng hợp trên
đế Cu có chất lượng tốt hơn rất nhiều so với các lớp màng graphen tổng hợp trên đế
Ni. Các màng graphen đơn lớp chất lượng cao với diện tích lớp màng lên tới 30 in
có thể tổng hợp được trên đế Cu. Việc tổng hợp lớp màng graphen đơn lớp không
31
phụ thuộc vào thời gian mọc, tốc độ nâng và hạ nhiệt. Mặt khác nếu xét về khía
cạnh kinh tế thì kim loại Cu dễ kiếm và rẻ hơn so với Ni.
Hình 1.16: Giản đồ pha hệ cấu tử a- Ni-C; b- Cu-C [29].
Đây là phương pháp có nhiều ưu điểm có thể tạo ra những lớp mỏng
graphen với diện tích lớn, độ đồng đều của màng cao, và đặc biệt có thể khống chế
được chiều dày hay số lớp graphen, việc tách màng graphen để chuyển lên bề mặt
chất nền khác là tương đối dễ dàng [6, 13, 26, 30, 37].
Chia sẻ với bạn bè của bạn: