Nghiên cứu chế tạo phụ gia giảm mài mòn cho dầu



tải về 4.21 Mb.
Chế độ xem pdf
trang15/35
Chuyển đổi dữ liệu12.05.2022
Kích4.21 Mb.
#51846
1   ...   11   12   13   14   15   16   17   18   ...   35
123doc-nghien-cuu-che-tao-phu-gia-giam-mai-mon-cho-dau-boi-tron-tren-co-so-vat-lieu-graphen-bien-tinh

2.3. Tổng hợp graphen 
2.3.1 Phương pháp cơ học 
Năm 2004 Novoselov và Geim tiến hành thử nghiệm tách graphen từ 
những tấm graphit nhiệt phân định hướng cao (Highly Oriented Pyrolytic Graphen -
HOPG). Nguyên tắc của phương pháp là phá hủy lực liên kết Van Der Waals tương 
đối yếu giữa các lớp graphit để tách thành các lớp mỏng một vài đơn lớp cacbon ta 
sẽ thu được graphen.
Để thu được vật liệu graphen, tấm graphit được nghiền thành những mảng 
nhỏ, sau đó được gắn lên một băng dính “scotch” (hình 1.10.a), việc này được lặp đi 
lặp lại nhiều lần nhằm mục đích chia mỏng những lớp graphit còn lại chỉ vài lớp 
chính là cấu trúc graphen (hình 1.10 b). Sau đó những lớp này được chuyển lên bề 
mặt SiO2 (hình 1.10 c và 1.10 d) để có thể tiến hành một số phương pháp quang xác 
định độ dày các mảng graphen thông qua độ tương phản của hình ảnh quang học 
(hình 1.10 e). 
Tuy nhiên phương pháp này tồn tại một hạn chế đó là chất lượng màng 
không đồng đều nên ảnh hưởng đến tính chất điện tử của màng, đồng thời không 
phù hợp cho yêu cầu tạo những màng graphen diện tích lớn. 


26 
Hình 1.10: Phương pháp bóc tách cơ học và kết quả màng graphen thu được. 
2.3.2. Phương pháp Epitaxial trên đế SiC 
Trước tiên người ta phải sử dụng một vật liệu nguồn, một cấu trúc mọc ghép 
giữa Si và cacbon là silicon carbit (SiC) thực hiện ở một nhiệt độ cao 1250 
o
C và 
trong điều kiện chân không siêu cao (UHV) hoặc trong môi trường khí Argon. Do 
nhiệt độ cao Silicon bốc hơi khỏi bề mặt kéo theo sự phá vỡ cấu trúc SiC ở hai bên, 
kết quả còn lại đơn lớp graphen bên trong (cấu trúc lục giác còn lại của những 
nguyên tử cacbon mầu đen chính là cấu trúc của graphen). 


27 
Hình 1.11: Sự hình thành graphen trên đế SiC [58]. 
Khó khăn của phương pháp này là chi phí cơ sở vật chất cao và sự tương tác 
mạnh mẽ giữa graphen và SiC làm cho nó khó trong việc chuyển lên bề mặt khác và 
do hệ số giãn nở nhiệt khác nhau cũng ảnh hưởng đến chính xác phép đo về điện 
[55]. 

tải về 4.21 Mb.

Chia sẻ với bạn bè của bạn:
1   ...   11   12   13   14   15   16   17   18   ...   35




Cơ sở dữ liệu được bảo vệ bởi bản quyền ©hocday.com 2024
được sử dụng cho việc quản lý

    Quê hương