27
Hình 1.11: Sự hình thành graphen trên đế SiC [58].
Khó khăn của phương pháp này là chi phí cơ sở vật chất cao và sự tương tác
mạnh mẽ giữa graphen và SiC làm cho nó khó trong việc chuyển lên bề mặt khác và
do hệ số giãn nở nhiệt khác nhau cũng ảnh hưởng đến chính xác phép đo về điện
[55].
Chia sẻ với bạn bè của bạn: