TrƣỜng đẠi học khoa học tự nhiên phạm Thị Hà nghiên cứu chế TẠO, TÍnh chấT ĐIỆn hóa và


Phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) [2,17,25]



tải về 1.38 Mb.
Chế độ xem pdf
trang8/36
Chuyển đổi dữ liệu03.09.2022
Kích1.38 Mb.
#53064
1   ...   4   5   6   7   8   9   10   11   ...   36
tailieuxanh nghien cuu che tao tinh chat dien hoa va dinh huong ung dung cua lop ma dien hoa niken tren nen cac chat dan dien khac nhau 1994
tailieuxanh uftai ve tai day26992 3195
1.2.2. Phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) [2,17,25] 
Trong phương pháp CVD, pha hơi được tạo ra bằng phương pháp hóa học. 
Việc phủ lớp màng mỏng được thực hiện nhờ quá trình lắng đọng các cụm nguyên 
tử, phân tử hay ion thông qua các phản ứng hóa học.
Phương pháp CVD có những ưu điểm chính sau đây:
- Hệ thiết bị đơn giản.
- Tốc độ lắng đọng cao (đến 1 µm/phút).
- Có khả năng lắng đọng hợp kim nhiều thành phần.
- Có thể tạo màng cấu trúc hoàn thiện, độ sạch cao.
- Đế được xử lý ngay trước khi lắng đọng bằng quá trình ăn mòn hóa học.
- Có thể lắng đọng lên đế có cấu hình đa dạng, phức tạp.



Nhược điểm chính của phương pháp này là:
- Cơ chế phản ứng phức tạp.
- Đòi hỏi nhiệt độ đế cao hơn trong các phương pháp khác.
- Đế và các dụng cụ thiết bị có thể bị ăn mòn bởi các dòng hơi.
- Khó tạo hình linh kiện màng mỏng thông qua kỹ thuật mặt nạ.
Phương pháp CVD được dùng để chế tạo màng mỏng các chất bán dẫn như
Si, A
II
B
VI
, A
II
B
V
, các màng mỏng ôxít dẫn điện trong suốt như SnO
2
, In
2
O
3
:Sn 
(ITO), các màng mỏng điện môi như SiO
2
, Si
3
N
4
, BN, Al
2
O
3
, và các màng mỏng 
kim loại.
1.2.3. Phương pháp lắng đọng hơi hóa học cải tiến (CCVD) [25] 
Lắng đọng hơi hóa học (CVD) là một phương pháp mà nhờ đó vật liệu rắn 
được lắng đọng từ pha hơi thông qua các phản ứng hóa học xảy ra ở gần bề mặt đế 
được nung nóng. 
CCVD là phương pháp cải tiến từ phương pháp lắng đọng hơi hóa học CVD. 
Quá trình này được ứng dụng chủ yếu trong công nghiệp có thể tạo màng đối với 
nhiều hợp chất như kim loại, oxide, sulfile, nitride, carbide, boride... Đây là quá 
trình tiền chất dễ bay hơi được chuyển thông qua thể hơi đến buồng phản ứng, nơi 
chúng thực hiện các phản ứng tạo thành thể rắn lắng trên đế được nung nóng. 
Phương pháp lắng đọng hơi hóa học có nhược điểm là khó điều chỉnh nhiệt 
độ phản ứng để xảy ra hiện tượng phủ, nhiệt độ đế cao, đế phải phù hợp với chất 
được phủ. Buồng phủ thường được tạo chân không cao để tránh lẫn tạp chất. 
Phương pháp lắng đọng hơi hóa học cải tiến có thể làm việc ở môi trường áp 
suất khí quyển. K thuật phủ dựa trên ngọn lửa, đốt cháy hạt nano, dùng để phủ 
những màng mỏng có chất lượng cao. Trong quá trình phủ chất mang được hòa tan 
dưới dạng dung dịch, chú ý chất mang phải dễ cháy. Dung dịch này được phun 
thành hạt có kích cỡ micromet bởi dụng cụ gọi là nanomiser. Những hạt này sau đó 
được mang đi bởi một dòng oxi đi tới ngọn lửa nơi chúng bị đốt cháy. Đế phủ được 
đặt trước ngọn lửa. Nhiệt độ từ ngọn lửa phải đủ lớn để cung cấp năng lượng để các 
hạt nước bốc hơi và để cho tiền chất phản ứng và phủ lên đế. Một trong những thế 



mạnh của phương pháp này là có thể sử dụng nhiều loại vật liệu phủ và các loại đế 
khác nhau. 
Ngoài các phương pháp trên, phương pháp mạ điện c ng là một phương 
pháp dùng để chế tạo màng mỏng kim loại. Phương pháp mạ điện có ưu điểm là 
công nghệ đơn giản, dễ vận hành và kiểm soát quá trình, dễ cơ khí hóa và tự động 
hóa, thời gian mạ nhanh, ít tốn hóa chất nhưng vẫn đảm bảo được tính cơ lý của lớp 
mạ. Phương pháp mạ điện được trình bày chi tiết trong phần tiếp theo của luận văn.

tải về 1.38 Mb.

Chia sẻ với bạn bè của bạn:
1   ...   4   5   6   7   8   9   10   11   ...   36




Cơ sở dữ liệu được bảo vệ bởi bản quyền ©hocday.com 2024
được sử dụng cho việc quản lý

    Quê hương