BÀi giảng cấu trúc máy tíNH

Là technology của hãng Rambus, có 184 pins (RIMM) và 160 pins (SO RIMM) và truyền data mỗi lần 16bit (thế hệ củ chỉ có 8bits mà thôi) cho nên chạy nhanh hơn các loại củ. Tuy nhiên do chạy với tốc độ cao, RIMM memory tụ nhiệt rất cao thành ra lối chế tạo nó cũng phải khác so với các loại RAM truyền thống.

Có một chỉ số về điện thế cung cấp cho RAM (DRAM Voltage). Thường thì DDR sử dụng mức điện thế 2,5v và DDR-II là 1,8v. Một số loại RAM DDR tốc độ cao có thể yêu cầu tới 2,8v hoặc 2,85v, đối với những loại này ta phải tham khảo tài liệu hướng dẫn đi kèm để có được thông tin. Tuy nhiên cần tuân theo một nguyên tắc an toàn là: Không nên kéo điện thế lên quá 2,9v nếu không có giải pháp tản nhiệt hữu hiệu vì RAM có thể sẽ bị cháy hoặc phồng IC sau một thời gian sử dụng.

Hiện có 3 công nghệ bộ nhớ phổ biến là SDRAM, DDR-SDRAM và RDRAM nên ta cần xác định loại bộ nhớ dựa theo tài liệu hướng dẫn của bo mạch chủ. SDRAM: Phổ biến trong các hệ thống Pentium, Pentium II, và Pentium III, SDRAM có 3 loại: PC66, PC100 và PC133; tương ứng với tần số làm việc 66MHz, 100MHz và 133 MHz. DDR SDRAM: Phổ biến trong hệ thống Pentium IV hay AMD. Cũng giống như SDRAM, DDR SDRAM cũng có nhiều loại tốc độ khác nhau như PC2100, PC2700, PC3200, PC3500 và PC3700 (xung làm việc tương ứng là 266MHz, 333MHz, 400MHz, 433MHz, và 466MHz) RDRAM: Là công nghệ bộ nhớ tốt nhất, RDRAM sử dụng cho các hệ thống Xeon và Pentium IV cao cấp.

VRAM được phát triển dựa trên công nghệ FPM (fast page mode), có hai cổng giao tiếp thay vì một cổng như thông thường: một cổng dành cho chức năng làm tươi màn hình) cổng còn lại xuất ảnh ra màn hình. Nhờ thiết kế này, VRAM hoạt động hiệu quả hơn DRAM trong những ứng dụng video. Tuy nhiên, do sản lượng tiêu thụ chip video ít hơn chip nhớ chính nên giá còn cao. Vì thế, trong một số hệ thống card video ít tiền, người ta có thể dùng DRAM thông thường để giảm giá thành.

GDDR (DDR đồ họa) được phát triển dựa trên công nghệ DDR SDRAM dành riêng cho đồ họa. Sau phiên bản GDDR-2 thiết kế dựa trên DDR-II, ATI và NVIDIA đã kết hợp chặt chẽ với các nhà sản xuất bộ nhớ để đưa ra phiên bản GDDR-3 có điện áp làm việc thấp hơn GDDR-2, làm việc từ tần số 500MHz đến 800MHz với mục tiêu giảm điện năng tiêu thụ, tăng mật độ chip nhớ và đơn giản hóa giải pháp tản nhiệt.

WRAM là một dạng bộ nhớ hai cổng khác, được dùng trong những hệ thống chuyên xử lý đồ họa. Hơi khác VRAM, WRAM có cổng hiển thị nhỏ hơn và hỗ trợ tính năng EDO (Extended Data Out).

SGRAM là loại SDRAM thiết kế riêng cho video với chức năng đọc/ghi đặc biệt. SGRAM cho phép truy xuất và chỉnh sửa dữ liệu theo khối thay vì từng đơn vị nên giảm bớt số lượt đọc/ghi bộ nhớ và tăng hiệu năng của bộ điều khiển đồ họa.

Trước khi trở thành công nghệ bộ nhớ chính, công nghệ Rambus được dùng làm bộ nhớ video. Công nghệ bộ nhớ Rambus dùng làm bộ nhớ chính hiện tại được gọi là Direct Rambus. Còn hai dạng Rambus sơ khai là Base Rambus và Concurrent Rambus được dùng cho ứng dụng video trong máy trạm và hệ thống game video như Nintendo 64

 Enhanced Sdram (Esdram)

Để tăng tốc độ và hiệu năng, thanh nhớ chuẩn có thể được tích hợp thêm bộ đệm SRAM (Static RAM) trực tiếp trên chip. ESDRAM là SDRAM có thêm bộ đệm SRAM để có khả năng làm việc với tần số 200MHz. Cũng tương tự nguyên lý bộ nhớ đệm ngoài, DRAM cũng dùng một bộ đệm SRAM để lưu dữ liệu thường dùng, nhằm rút ngắn thời gian truy xuất DRAM. Ưu điểm của SRAM trên chip là tạo lập tuyến bus rộng hơn giữa SRAM và DRAM, tăng cường băng thông và tốc độ DRAM một cách hiệu quả.

 Fast Cycle Ram (Fcram)

FCRAM được Toshiba và Fujitsu đồng phát triển nhằm phục vụ máy chủ, máy in cao cấp và hệ thống chuyển mạch viễn thông. Bộ nhớ được phân thành nhiều mảng và có thiết kế hàng đợi nên tăng được tốc độ truy xuất ngẫu nhiên và giảm điện năng tiêu thụ.

 Synclink Dram (Sldram)

Hiện tại tuy đã lỗi thời nhưng SLDRAM từng được cộng đồng chế tạo DRAMphát triển nhằm cạnh tranh với Rambus vào cuối thập niên 1990.

 Virtual Channel Memory (Vcm)

Do NEC phát triển, VCM cho phép các ‘khối’ bộ nhớ khác nhau giao tiếp độc lập với bộ điều khiển nhớ và có đệm riêng. Cách này cho phép mỗi tác vụ hệ thống thành một khối riêng, không chia sẻ hay dùng chung với các tác vụ cùng chạy khác

3. Xây dựng bộ nhớ từ các chip nhớ.

3.1. Lưu trữ từ tính

Kiểu lưu trữ từ tính dùng để lưu dữ liệu trên một trục các đĩa mỏng. Các đĩa này được chế tạo từ aluminum, thủy tinh hoặc ceramic và được bọc bên ngoài với một lớp vật liệu sắt từ, thường là hợp kim co ban. Lớp vật liệu sắt từ này bao phủ sẽ cho phép đầu đọc/ghi có thể từ hóa các vùng nhỏ của đĩa để thể hiện dữ liệu số trên đó. Có nhiều đĩa mỏng bên trong một ổ cứng, chúng được cách ly với nhau bởi các miếng đệm trên một trục đơn. Trục này được điều khiển bởi một mô tơ có thể quay tròn các đĩa. Tốc độ của mô tơ này là không đổi và là tốc độ của ổ cứng.

Các đầu đọc ghi trên từng mặt đĩa được gắn với một cánh tay chuyển động riêng. Cánh tay chuyển động này được điều khiển bằng một mô tơ servo có thể chuyển đầu đọc vào gần hoặc ra xa với trục. Có hai cách để ghi dữ liệu lên đĩa: theo chiều ngang và chiều vuông góc. Chiều ngang là cách truyền thống để ghi dữ liệu lên đĩa.

Công nghệ ghi vuông góc có thể cho phép các thiết kế đóng gói được nhiều dữ liệu hơn trên cùng một vùng của đĩa mà không phải buồn phiền về hiệu quả của siêu thuận từ cho các vùng có kích thước giống nhau. Nó hơi khó hiểu trong vấn đề tại sao chúng ta không phải lo lắng về hiệu quả của siêu thuận từ. Về bản chất vấn đề này là hướng của trường từ tính đã thay đổi, và vì vậy chúng tương tác với các thành phần bên cạnh của chúng khác nhau. Sự tương tác này rất quan trọng trong việc xác định xem siêu thuận từ có ảnh hưởng hay không. Tương tự với ổ cứng, các bit được lưu trên một dải băng bằng cách đảo cực một vùng từ tính nhỏ. Có hai kiểu cơ bản của dải băng đó là: tuyến tính và xoắn ốc.Các ổ băng tuyến tính có các rãnh tuyến tính. Trên băng có một số rãnh mở rộng từ băng này đến băng khác. Mỗi rãnh gồm có nhiều vùng từ tính nhỏ, các vùng này có thể được sử dụng để thể hiện bít dữ liệu ‘1’ hoặc ‘0’. Các băng xoắn ốc có các rãnh có thể chạy theo đường chéo lên xuống theo băng. Điều đó có nghĩa rằng các rãnh sẽ chồng lên nhau. Bình thường điều đó là không tốt, tuy nhiên kiểu băng này sẽ dụng hai đầu ghi, mỗi đầu ghi lại sử dụng một trạng thái phân cực đối nhau, điều đó cho phép đầu đọc có thể phân biệt được các rãnh. Do vậy nó có thể cho dung lượng cao hơn khi sử dụng băng.

Một trong những loại bộ nhớ bán dẫn thông thường đó là RAM, bạn có thể xem hình 3.2. Có hai loại RAM chung đó là động và tĩnh. Ram tĩnh (SRAM) lưu dữ liệu trong một bộ gồm có 6 transistor (6 transistor này tạo thành một khối được biết đến đó là một flip-flop (FF)). Ram động (DRAM) lưu dữ liệu bằng các tụ điện, cần phải làm tươi liên tục, đây là lý do tại sao DRAM không lưu được dữ liệu khi mất điện. Ưu điểm của DRAM là chỉ cần đến một trasistor và mỗi tụ điện cho mỗi bit. Điều này làm cho nó có dung lượng nhớ cao hơn SRAM. Còn ưu điểm của SRAM là các transistor không cần đến việc làm tươi và tương tác nhanh hơn các tụ điện.

Hình 3.2: RAM

Một kiểu bộ nhớ bán dẫn khác đang được sử dụng nhiều hiện nay đó là bộ nhớ Flash. Trong loại bộ nhớ này cũng được chia thành hai kiểu: NOR và NAND. NOR (Not OR) thường sử dụng các cổng logic NOR trong khi đó NAND (Not AND) lại sử dụng các cổng logic NAND. Cả hai cổng lôgic NAND và NOR đều được cấu tạo từ các transistor và không chứa tụ điện trong đó. Điều này nghĩa là khi mất điện dữ liệu được lưu bên trong chúng sẽ không bị mất. Mặc dù cả NAND và NOR Flash đều tương tự nhau nhưng chúng cũng có một số điểm khác nhau. NAND flash sử dụng công nghệ truy cập tuần tự phù hợp hơn cho việc lưu trữ dữ liệu. NOR flash là một công nghệ truy cập ngẫu nhiên, điều này làm cho nó tốt hơn trong việc lưu trữ các chương trình sử dụng tốn ít bộ nhớ. NOR flash thường được sử dụng trong các ứng dụng như chạy một hệ điều hành của điện thoại di động. NAND flash được sử dụng điển hình trong các ứng dụng như các thẻ nhớ USB.

3.3. Bộ nhớ quang

Một kiểu lưu trữ quang học thường được sử dụng nhất đó là CD. Các CD được sản xuất từ polycarbonat plastic có các lỗ nhỏ, các lỗ nhỏ này được sắp xếp theo hình xoắn ốc xung quanh đĩa, đó là các lỗ dùng để biểu thị dữ liệu. Trên polycarbonat này là một lớp vật liệu phản chiếu mỏng, thường là aluminum hay vàng và trên đó là một lớp acrylic để bảo vệ đĩa. Khi một CD đang đọc, tia laser sẽ đập vào lớp polycarbonat và được phản chiếu vào lớp vật liệu phản chiếu. Tia laser phản chiếu quay trở lại được phát hiện bằng một cảm biến quang, dùng để chuyển đổi tín hiệu tia laser nhận được thành tín hiệu điện. Phụ thuộc vào tia laser tập trung vào các lỗ hổng khác nhau thì tín hiệu điện thu được cũng sẽ khác nhau vì tia phản chiếu khác nhau. Sự khác nhau trong các tín hiệu điện là cách một máy tính có thể đọc dữ liệu trên đĩa CD như thế nào. Đó là trường hợp đối với các CD thông thường, nhưng việc ghi dữ liệu lên các đĩa CD như thế nào? Một CDR cũng tương tự như một CD trong cấu trúc chung của nó ngoại trừ có hai khía cạnh chính. Đầu tiên đó là nó không có các lỗ.Thứ hai, giữa polycarbonat và aluminum phản chiếu có một lớp thuốc nhuộm trong suốt. Để lưu dữ liệu vào CD-R, tia laser dùng để ghi được tập trung vào phần xoắn ốc muốn ghi (đường xoắn ốc này không tồn tại cho tới khi bạn tạo nó bằng việc ghi dữ liệu lên) và nung nóng lớp thuốc nhuộm. Các thuộc tính hóa học của lớp thuốc nhuộm thay đổi tương ứng ở độ mờ của nó với nhiệt độ đốt nóng. Vì vậy tia laser dùng để ghi có thể chuyển động dọc theo đường xoắn ốc và thay đổi độ mờ của các vùng nhỏ, sự khác biệt trong độ mờ thể hiện ra dữ liệu đó là các con số ‘1’ và ‘0’. Dữ liệu sau đó được đọc từ CD-R theo cách như một CD. CD-R chỉ có thể được ghi một lần. Điều này là bởi vì khi đã làm lớp thuốc nhuộm thay đổi thì bạn không thể làm cho nó

trong suốt lại được lần nữa. Vậy sau CD-R là gì? CD-RW sử dụng lớp thuốc nhuộm khác, lúc đầu có màu đục, sau khi được đốt nóng có màu trong suốt. Thuốc nhuộm này cũng có thuộc tính khá thú vị đó là có thể trở lại trạng thái ban đầu nếu được đốt nóng đến một nhiệt độ cao hơn. Điều này cho phép bạn dễ dàng xóa các dữ liệu đã được lưu trên đĩa trước đó.

Hình 3.3. Ảnh của các lỗ trên một đĩa DVD

Các đĩa DVD làm việc cũng giống như đĩa CD. Các đĩa này có thể lưu nhiều dữ liệu hơn đĩa CD vì về bản chất chúng gồm nhiều đĩa CD mỏng được cất trữ trên một DVD. Điều đó được tạo từ một số lớp polycarbonat và vật liệu phản chiếu. Các tia laser và cảm biến quang cũng có nhiều cải tiến hơn, trong đó tia laser có khả năng xuyên qua các lớp khác nhau và cảm biến quang cũng có thể phát hiện được tất cả các lớp khác nhau đó.

3.4. Bộ nhớ phân tử

Động cơ cho việc phát triển công nghệ lưu trữ mới là chúng ta muốn nhanh chóng vươn đến được giới hạn nhỏ và nhanh trong các thiết bị, trong khi đó người dùng luôn yêu cầu dung lượng và hiệu suất tốt hơn. Chính vì vậy các công nghệ mới càng cần phải được nghiên cứu và sớm đưa ra hơn. Trong phần này chúng tôi có giới thiệu đến công nghệ nhớ phân tử. Vậy công nghệ nhớ phân tử là gì? Điều gì làm cho bộ nhớ phân tử hấp dẫn đến vậy, câu trả lời là các phân tử rất nhỏ và có thể cung cấp một mật độ nhớ lớn hơn gấp nhiều lần so với các công nghệ hiện tại. Để giữ một bit trong một phân tử, theo lý thuyết điều này khá đơn giản. Ta chỉ cần thêm hoặc bớt các electron trong mỗi phân tử đó. Điều khó khăn ở đây là việc đọc và ghi các bit dữ liệu đó như thế nào. Để truy cập vào các phân tử để đọc và ghi, một số nhà nghiên cứu đã sắp xếp một mảng phân tử xung quanh các ống nano nhỏ có khả năng tích điện. Phương pháp này được thể hiện như trong hình 3.3.4. Một số chuyên gia nghiên cứu khác lại muốn gia công các bít dữ liệu thông qua sóng vô tuyến. Họ thực hiện điều đó bằng cách tạo một xung điện từ ở một tần số nào đó, xung này sau đó có thể thay đổi để nạp cho phân tử. Để đọc các bít dữ liệu, một xung tần số khác sẽ được tạo ra sau đó. Kết quả phân tử có xung thứ hai này có thể cho bạn biết rằng xung đầu tiên đã tương tác với phân tử, do vậy cho phép bạn lưu và sau đó đọc bit dữ liệu đó.

Hình 3.4. Sơ đồ thiết bị nhớ phân tử

Như những gì bạn có thể nhìn thấy ở trên là công nghệ bộ nhớ phân tử, công nghệ này có thể hứa hẹn sẽ cung cấp cho người dùng một mật độ nhớ lớn. Tuy nhiên, hiện nay bộ nhớ phân tử vẫn nằm trong các phòng thí nghiệm, vì vậy có lẽ chúng ta sẽ phải đợi đến vài năm tiếp theo để có thể thấy được công nghệ mới này sẽ mang đến những thuận lợi trong ứng dụng cho chúng ta như thế nào.

Không giống như bộ nhớ phân tử, bộ nhớ thay đổi pha hiện đã được đưa vào ứng dụng. Trong thực tế, công nghệ bộ nhớ thay đổi pha được đưa ra cách đây khoảng vài thập kỷ. Vào năm những năm 60, Stanford Ovshinsky đã phát minh ra cách để kết tinh các vật liệu vô định hình, các vật liệu không có cấu trúc cụ thể. Các CD-R và CD-RW làm việc bởi tia laser thay đổi độ mờ của một vùng nhỏ trên mỗi đĩa. Sự thay đổi tính mờ của vật liệu từ vô định sang kết tinh, và ngược lại. Đây cũng là công nghệ được phát minh bởi Ovshinsky. Ovshinsky là người đầu tiên chế tạo CD-RW vào năm 1970. Sự khác nhau giữa công nghệ CD-R và công nghệ thay đổi pha là với bộ nhớ của công nghệ thay đổi pha, trạng thái kết tinh của một vùng nhỏ được thay đổi bằng một dòng điện chứ không phải tia laser. Khi không sử dụng tia laser để đọc và ghi dữ liệu thì chúng ta sẽ không làm mờ vùng nhưng lại xuất hiện điện trở suất ở vùng đó. Khi vùng đó thay đổi sang kết tinh hoặc vô định hình thì điện trở suất của vùng có thể đo được và dựa vào số điện trở suất người ta có thể phân biệt được đó là ‘1’ hay ’0’. Bây giờ ta có thể thấy được điện trở xuất khá giống với tính mờ đục. Một vật liệu có điện trở không cho phép nhiều điện tích để lưu thông qua nó và vật liệu mờ không cho phép nhiều ánh sáng xuyên qua nó. Cũng nên biết rằng các vật liệu mờ trong thực tế có sự phản chiếu ánh sáng. Ta có thể không nhận ra rằng các vật liệu có điện trở cũng phản chiếu. Đúng hơn, nó là trở kháng (impedance) của vật liệu sẽ phản chiếu điện. Điện trở là một khía cạnh của những gì tạo nên trở kháng; các thành phần khác là điện dung và điện cảm. Trong nhiều ứng dụng, việc hạn chế sự phản chiếu bởi trở kháng phù hợp là một vấn đề lớn trong thiết kế. Bộ nhớ thay đổi pha có tiềm năng thay thế được bộ nhớ flash trong một vài năm tới. Vậy làm thế nào để có thể so sánh được với ổ flash? Giống như ổ flash, bộ nhớ thay đổi pha là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên ổn định làm cho nó phù hợp với cả chạy mã và lưu trữ dữ liệu. Năm 2006, IBM cùng với Macronix và Qimonda đã tuyên bố các kết quả nghiên cứu rằng họ đã thiết kế, xây dựng và minh chứng được thiết bị nhớ thay đổi pha đầu tiên. Thiết bị này nhanh hơn gấp 500 lần so với ổ flash trong khi sử dụng ít hơn một nửa công suất tiêu thụ. Thiết bị đầu tiên này cũng nhỏ gọn hơn các bộ nhớ flash.

Nhiều người nghĩ rằng công nghệ holographic chỉ là mang tính lý thuyết, nhưng ngày nay nó đang dần trở thành một công nghệ hiện thực. Rõ ràng nó chưa được sử dụng rộng rãi và khá đắt đỏ. Tuy nhiên tình trạng này sẽ sớm được thay đổi bởi vì có rất nhiều ưu điểm để lưu trữ dữ liệu của bạn trên bộ nhớ công nghệ holographic này.

Hình 3.6. Thiết bị nhớ công nghệ holographic

Bộ nhớ holographic làm việc bằng cách chiếu hai chùng sáng dính liền vào một môi trường nhạy cảm với ánh sáng, một chùm dữ liệu và một chùm tham chiếu. Mẫu giao thoa kích thước ba chiều được tạo bởi hai chùm sáng này được lưu như một kỹ thuật tạo ảnh ba chiều. Mẫu giao thoa này có thể được đọc bằng cách chỉ chiếu sáng chùm tham chiếu vào mẫu giao thoa; chùm thu được sẽ giống với chùm dữ liệu gốc. Kiểu bộ nhớ ba chiều này nghĩa là chúng ta có thể lưu và truy cập các trang bộ nhớ cùng một thời điểm. Nó cũng có nghĩa là các thiết bị nhớ holographic sẽ có một khả năng nhớ với số lượng lớn không tưởng. Với các ưu điểm của nó, holographic sẽ sớm trở thành một công nghệ lưu trữ được sử dụng trong thị trường lưu trữ thứ ba. Mặc dù vậy các thiết bị holographic sẽ ít phổ biến như các đĩa CD và DVD ngày nay.

CHƯƠNG 4:

CÁC PHƯƠNG PHÁP VÀO-RA DỮ LIỆU
1. Cấu trúc phần cứng của các hệ thống vào-ra dữ liệu

1.1. Song song (Parallel)

Các máy tính PC được trang bị ít nhất là 1 cổng song song và 1 cổng nối tiếp. Khác với ghép nối nối tiếp có nhiều ứng dụng, ghép nối song song thường chỉ phục vụ cho máy in. Sơ đồ ghép nối song song như hình sau:

Có ba thanh ghi có thể truyền số liệu và điều khiển máy in cũng như khối ghép nối. Địa chỉ cơ sở của các thanh ghi cho tất cả cổng LPT (line printer) từ LPT1 đến LPT4 được lưu trữ trong vùng số liệu BIOS. Thanh ghi số liệu được định vị ở offset 00h, thanh ghi trang thái ở 01h, và thanh ghi điều khiển ở 02h. Thông thường, địa chỉ cơ sở của LPT1 là 378h, LPT2 là 278h, do đó địa chỉ của thanh ghi trạng thái là 379h hoặc 279h và địa chỉ thanh ghi điều khiển là 37Ah hoặc 27Ah. Định dạng các thanh ghi như sau:địa chỉ thanh ghi điều khiển là 37Ah hoặc 27Ah. Định dạng các thanh ghi như sau:

Thanh ghi dữ liệu (hai chiều):

Thanh ghi trạng thái máy in (chỉ đọc):

Thanh ghi điều khiển máy in:

• 
  x: không sử dụng
  
• 
  IRQ: yêu cầu ngắt cứng; 1 = cho phép; 0 = không cho phép Bản mạch ghép nối chỉ có bus dữ liệu 8 bit do dữ liệu luôn đi qua máy in thành từng khối 8 bit. Các chân tín hiệu của đầu cắm 25 chân của cổng song song LPT như sau:
  

Thường tốc độ xử lý dữ liệu của các thiết bị ngoại vi như máy in chậm hơn PC nhiều nên các đường ACK, BSY và STR được sử dụng cho kỹ thuật bắt tay. Khởi đầu, PC đặt dữ liệu lên bus sau đó kích hoạt đường STR xuống mức thấp để thông tin cho máy in biết rằng số liệu đã ổn định trên bus. Khi máy in xử lý xong dữ liệu, nó sẽ trả lại tín hiệu ACK xuống mức thấp để ghi nhận. PC đợi cho đến khi đường BSY từ máy in xuống thấp (máy in không bận) thì sẽ đưa tiếp dữ liệu lên bus. Dữ liệu có thể trao đổi trực tiếp giữa 2 PC qua các cổng song song với nhau. Muốn vậy, các đường điều khiển bên này phải được kết nối với các đường trạng thái bên kia.

Máy in có thể được truy xuất bằng chương trình qua DOS, BIOS hay trực tiếp qua các cổng. Các lệnh như “copy tên_file << PRN” trong DOS cho phép in 1 file ra máy in. Ngắt 17h với hàm 01h khởi động máy in, 00h in 1 ký tự ra máy in, 02h trả về trạng thái của máy in,… có sẵn trong BIOS.

Ghép nối tiếp cho phép trao đổi giữa các thiết bị từng bit một. Dữ liệu thường được gửi theo các nhóm bit SDU (serial data unit) mà mỗi nhóm tạo thành 1 byte hay 1 word. Các thiết bị ngọai vi như: máy vẽ, modem, chuột có thể được nối với PC qua cổng nối tiếp COM. Sự khác nhau giữa truyền nối tiếp đồng bộ và bất đồng bộ là: trong kỹ thuật truyền đồng bộ, ngoài đường dây dữ liệu phải đưa thêm vào một hoặc vài đường tín hiệu đồng bộ để cho biết rằng khi nào bit tiếp theo ổn định trên đường truyền. Ngược lại trong truyền bất đồng bộ, các bit dữ liệu tự nó chứa các thông tin để đồng bộ; phần phát và phầnthu phải họat động với cùng 1 tần số xung clock. Thông tin đồng bộ (trong truyền bất đồng bộ) gồm có các bit start (cho biết bắt đầu của khối dữ liệu được truyền) và một bit stop (cho biết kết thúc khối dữ liệu).

Bit chẵn lẻ (parity bit) được đưa vào khung SDU dùng để phát hiện lỗi trên đường truyền. Việc truyền bit chẵn lẻ chỉ kiểm soát được các lỗi trên đường truyền ngắn và các lỗi bit đơn nên trong một số ứng dụng đặc biệt người ta phải dùng mã CRC mặc dù phức tạp hơn. Tuy nhiên, gần như tất cả các chip hỗ trợ cho ghép nối nối tiếp ngày nay đều được thiết kế phần cứng kiểm tra chẵn lẻ. Một thông số khác liên quan tới truyền dữ liệu nối tiếp là tốc độ truyền dữ liệu được gọi là tốc độ baud. Trong việc truyền mã nhị phân, đó là số bit được truyền trong một giây (bps - bit per second).

Trước khi truyền chuỗi số liệu nối tiếp, máy phát và máy thu phải được khởi tạo để họat động với cùng một định dạng dữ liệu, cùng một tốc độ truyền. Một SDU với 1 bit start, 7 bits số liệu, 1 bit chẵn lẻ và 1 bit stop mô tả như hình vẽ. Lưu ý rằng: bit start luôn bằng 0 (space) và bit stop luôn bằng 1(mark). Bus

• 
  Bus interface: ghép nối bus;
  
• 
  Serial data: dữ liệu nối tiếp;
  
• 
  Transmitter holder register: thanh ghi đệm giữ dữ liệu phát;
  
• 
  Transmitter shift register: thanh ghi dịch dữ liệu phát;
  
• 
  Receiver buffer register: thanh ghi đệm dữ liệu thu;
  
• 
  Receiver shift register: thanh ghi dịch dữ liệu thu;
  
• 
  SDU logic: mạch logic SDU;
  
• 
  Interface control baud generator: máy phát điều khiển tốc độ truyền dữ liệu baud
  
• 
  Clock: xung clock;
  

Các ghép nối của PC cho trao đổi nối tiếp đều theo tiêu chuẩn RS-232 của EIA (Electronic Industries Association) hoặc của CCITT ở Châu Âu. Chuẩn này quy định ghép nối về cơ khí, điện, và logic giữa một thiết bị đầu cuối số liệu DTE (Data Terminal Equipment) và thiết bị thông tin số liệu DCE (Data Communication Equipment). Thí dụ, DTE là PC và DCE là MODEM. Có 25 đường với đầu cắm 25 chân D25 giữa DTE và DCE. Hầu hết việc truyền số liệu là bất đồng bộ. Có 11 tín hiệu trong chuẩn RS232C dùng cho PC, IBM còn quy định thêm đầu cắm 9 chân D9. Các chân tín hiệu và mối quan hệ giữa các đầu cắm 25 chân và 9 chân:

Chuẩn RS-232C cho phép truyền tín hiệu với tốc độ đến 20.000 bps nhưng nếu cáp truyền đủ ngắn có thể lên đến 115.200 bps. Chiều dài cáp cực đại là 17-20m. Các phương thức nối giữa DTE và DCE:

- Đơn công (simplex connection): dữ liệu chỉ được truyền theo 1 hướng.

- Bán song công ( half-duplex): dữ liệu truyền theo 2 hướng, nhưng mỗi thời điểm chỉ được truyền theo 1 hướng.

- Song công (full-duplex): số liệu được truyền đồng thời theo 2 hướng.