KỸ SƯ TÀi năng ngành vật lý KỸ thuậT (Chuyên ngành: Vật liệu điện tử và công nghệ nano)

tải về 2.04 Mb.

trang	18/23
Chuyển đổi dữ liệu	07.04.2018
Kích	2.04 Mb.
	#36834

1 ... 15 16 17 18 19 20 21 22 23

PH4070 Công nghệ vi điện tử

1. Tên học phần: Công nghệ vi điện tử

2. Mã số: PH4070

3. Khối lượng: 3(2-1-1-6)

Lý thuyết: 30 tiết
Bài tập/BTL: 12 tiết
Thí nghiệm: 2 bài (x 3 tiết)

4. Đối tượng tham dự: Sinh viên đại học các ngành Vật lý kỹ thuật, Điện tử viễn thông, Kỹ thuật vật liệu và các ngành liên quan khác từ học kỳ 6.

5. Điều kiện học phần:

Học phần tiên quyết: không
Học phần học trước: PH3220
Học phần song hành: không

6. Mục tiêu học phần và kết quả mong đợi

Cung cấp cho sinh viên kiến thức cơ bản về quá trình công nghệ chế tạo các mạch Vi điện tử (IC): Công nghệ màng mỏng, công nghệ màng dày, công nghệ planar, đặc điểm thiết kế mạch điện tử dựa trên cơ sở các mạch Vi điện tử: các mạch tương tự và mạch số.

Sau khi hoàn thành học phần này, yêu cầu sinh viên có khả năng:

Hiểu và phân biệt được các loại công nghệ chế tạo mạch vi điện tử
Hiểu rõ các công đoạn chính chế tạo vi mạch, có thể áp dụng trong thực tế từng công đoạn hoặc toàn bộ quy trình.

Mức độ đóng góp cho các tiêu chí đầu ra của chương trình đào tạo:

Tiêu chí	1.1	1.2	1.3	2.1	2.2	2.3	2.4	2.5	2.6	3.1	3.2	3.3	4.1	4.2	4.3	4.4	4.5
Mức độ	GD	GD	GD	GD	GD	GT	GT	GT	GT	GD	GD	GD	GT	GT	GT	GT	GT

7. Nội dung vắn tắt học phần:

Lịch sử phát triển mạch điện tử. Mạch vi điện tử màng. Vật liệu bán dẫn silic. Các công đoạn chính của công nghệ planar: epitaxy, oxy hóa, khắc và tẩm thực, khuếch tán, cấy ion. Quy trình công nghệ IC lưỡng cực. Công nghệ IC MOS. Các bộ nhớ MOS.

8. Tài liệu học tập:

Sách giáo trình: Nguyễn Đức Chiến, Nguyễn Văn Hiếu, Công nghệ chế tạo mạch vi điện tử, NXB Bách khoa, 2007.
Bài giảng
Sách tham khảo: S.M. Sze, VLSI technology, McGraw-Hill, 1998.

9. Phương pháp học tập và nhiệm vụ của sinh viên:

Sinh viên dự lớp đầy đủ, có các bài giảng của giảng viên, làm các bài tập trên lớp, đọc sách giáo trình để hiểu kỹ từng vấn đề, tìm tài liệu trên mạng và trình bày trước lớp.
Dự lớp đầy đủ theo quy chế, hoàn thành các bài tập của học phần, hoàn thành đầy đủ các bài thí nghiệm của học phần, dự thi giưa học phần.

10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0.3)-T(0.7)

Điểm quá trình: trọng số 0.3

- Bài tập làm và thuyết trình đầy đủ

- Làm thí nghiệm đầy đủ, có báo cáo và bảo vệ

- Kiểm tra giữa kỳ

Thi cuối kỳ (tự luận): trọng số: 0.7

11. Nội dung và kế hoạch học tập cụ thể

Tuần	Nội dung	Giáo trình	BT, TN,…
1	MỞ ĐẦU (3 LT) • Lịch sử phát triển của mạch điện tử • Công nghệ Vi điện tử và những chỉ tiêu kỹ thuật của thiết bị điện tử • Phân loại IC • Giới thiệu công nghệ màng mỏng	Bài giảng
2	CHƯƠNG I: CÔNG NGHỆ MẠCH VI ĐIỆN TỬ MÀNG (3 LT + BT) I.1. Công nghệ màng mỏng I.2. Công nghệ màng dày I.3. Công nghệ lai (hybrid)	Bài giảng	Bài tập về tính giá trị điện trở, điện dung màng mỏng và màng dày
3	CHƯƠNG II: VẬT LIỆU SILIC (4 LT + BT) II.1. Silic tinh khiết điện tử II.2. Nuôi tinh thể silic bằng phương pháp Czochralski	Chương II: Vật liệu bán dẫn	Bài tập về tính điện trở suất của vật liệu silic pha tạp
4	II.3. Chế tạo phiến silic CHƯƠNG III: EPITAXY (3 LT + BT) III.1. Epitaxy pha lỏng III.2. Epitaxy chùm phân tử III.3. Màng silic trên đế cách điện (Silicon on Insulator (SOI)	Chương X: Epitaxy	Bài tập về tốc độ mọc lớp epitaxy
5	III.4. Đánh giá lớp epitaxy CHƯƠNG IV: OXY HOÁ (4 LT + BT, 3 TN) IV.1. Cơ chế và động học quá trình oxy hoá IV.2. Oxide siêu mỏng	Chương IV: Oxy hóa nhiệt	Bài tập về tốc độ oxy hóa và chiều dày lớp oxide/ Thí nghiệm về chế tạo màng mỏng SiO₂ bằng phương pháp ôxy hóa nhiệt
6	IV.3. Các tính chất của lớp oxide IV.4. Tái phân bố tạp chất trên bề mặt IV.5. Khuyết tật do oxy hoá CHƯƠNG V: KỸ THUẬT KHẮC HÌNH (3 LT + BT, 1.5 TN) V.1. Quang khắc	ChươngVII: Khắc và ăn mòn	Thí nghiệm về Quang khắc và tẩm thực màng mỏng SiO₂
7	V.2. Khắc bằng chùm điện tử V.3. Khắc bằng tia X V.4. Khắc bằng chùm ion CHƯƠNG VI: TẨM THỰC (ĂN MÒN) (2 LT + BT, 1.5 TN) VI.1. Tẩm thực ướt		Thí nghiệm về Quang khắc và tẩm thực màng mỏng SiO₂
8	VI.2. Tẩm thực dị hướng VI.3. Tẩm thực phản ứng plasma CHƯƠNG VII: KHUẾCH TÁN (5 LT + BT) VII.1. Mô hình khuếch tán trong chất rắn VII.2. Phương trình khuếch tán một chiều	Chương III: Khuếch tán
9	VII.3. Cơ chế khuếch tán VII.4. Đánh giá lớp khuếch tán VII.5. Khuếch tán trong lớp silic đa tinh thể	Chương III: Khuếch tán	Bài tập về tính chiều sâu lớp khuếch tán
10	CHƯƠNG VIII: CẤY ION (3 LT + BT) VIII.1. Vật lý quá trình cấy ion VIII.2. Thiết bị cấy ion VIII.3. Khuyết tật cấy ion và ủ khuyết tật VIII.4. Chế tạo chuyển tiếp p-n nông VIII.5. Cấy ion năng lượng cao
11	Kiểm tra giữa kỳ (1 tiết) CHƯƠNG X: QUY TRÌNH CÔNG NGHỆ TỔ HỢP (8 LT + BT) X.1. Công nghệ CMOS	Chương XI: Công nghệ CMOS	Bài tập về transistor MOSFET trong IC
12	X.2. Các bộ nhớ MOS X.3. Công nghệ IC lưỡng cực	Chương XIII: Công nghệ lưỡng cực silic	Bài tập về bộ nhớ MOS. Bài tạp về transistor npn
13	X.3. Công nghệ IC lưỡng cực	Chương XIII: Công nghệ lưỡng cực silic	Bài tập về điện trở và tụ điện trong IC
14	CHƯƠNG IX: ĐÓNG GÓI IC (2 LT + BT) XI.1. Các loại vỏ IC XI.2. Các kỹ thuật đóng gói IC	Bài giảng
15	Ôn tập

12. Nội dung các bài thí nghiệm (thực hành, tiểu luận, bài tập lớn)

TN1: Chế tạo màng mỏng SiO₂ bằng phương pháp ôxy hóa nhiệt: Chuẩn bị phiến silic, tiến hành oxy hóa trong oxy khô với thời gian và nhiệt độ cho trước, thời gian 3 giờ, 1 buổi

TN2: Quang khắc và tẩm thực màng mỏng SiO₂: Phủ cảm quang bằng quay ly tâm, chiếu sáng sử dụng mặtn nạ quang và ánh sáng cực tím, hiện hình cảm quang, ăn mòn oxide, tẩy cảm quang, thời gian 3 giờ, 1 buổi.

PH4080 Từ học và vật liệu từ

1. Tên học phần: TỪ HỌC VÀ VẬT LIỆU TỪ

2. Mã số: PH4080

3. Khối lượng: 3(2-1-1-6)

Lý thuyết: 30 tiết
Bài tập/BTL: 12 tiết
Thí nghiệm: 4 bài (x 3 tiết)

Học phần tiên quyết:
Học phần học trước: PH3110
Học phần song hành:

6. Mục tiêu học phần và kết quả mong đợi

SV hiểu được vật lý các hiện tượng từ, kinh điển và lượng tử

SV hiểu được các tính chất và ứng dụng của các vật liệu dẫn từ và nam châm , kinh điển và hiện đại.

Mức độ đóng góp cho các tiêu chí đầu ra của chương trình đào tạo: <Xác định theo 3 loại: GT (chỉ giới thiệu), GD (giảng dạy) hoặc SD (yêu cầu SV sử dụng, rèn luyện) để đáp ứng với những tiêu chí con trong chuẩn đầu ra của chương trình đào tạo>

Tiêu chí	1.1	1.2	1.3	2.1	2.2	2.3	2.4	2.5	2.6	3.1	3.2	3.3	4.1	4.2	4.3	4.4	4.5
Mức độ	GD	GD	GD	GD	GD	GT	GT	GT	GT	GD	GD	GD	GT	GT	GT	GT	GT

7. Nội dung vắn tắt học phần:

Bản chất vi mô của các hiện tượng từ, cấu trúc vi mô của vật liệu từ, các tương tác trong vật liệu từ, các tính chất của vật liệu từ, các ứng dụng của vật liệu từ.

8. Tài liệu học tập:

Sách giáo trình: Nguyễn Hoàng Nghi, Tõ häc vµ vËt liÖu tõ hiÖn ®¹i, NXB KH-KT, 2011 (th¸ng 11).
Bài giảng về từ học của cùng tác giả
Các sách tiếng Việt của các tác giả Vũ Đình Cự, Thân Đức Hiền, Nguyễn Châu, Nguyễn Phú Thùy...
Sách tham khảo khác

9. Phương pháp học tập và nhiệm vụ của sinh viên:

Sinh viên dự lớp đầy đủ, có các bài giảng của giảng viên, làm các bài tập trên lớp, đọc sách giáo trình để hiểu kỹ từng vấn đề, tìm tài liệu trên mạng và trình bày trước lớp.
Dự lớp đầy đủ theo quy chế, hoàn thành các bài tập của học phần, hoàn thành đầy đủ các bài thí nghiệm của học phần, dự thi giưa học phần.

10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0.3)-T(0.7)

Điểm quá trình: trọng số 0.3

- Bài tập làm và thuyết trình đầy đủ

- Làm thí nghiệm đầy đủ, có báo cáo và bảo vệ

- Kiểm tra giữa kỳ

Thi cuối kỳ (tự luận): trọng số: 0.7

11. Nội dung và kế hoạch học tập cụ thể

Tuần	Nội dung	Giáo trình	BT, TN,…
1	MỞ ĐẦU Dự phòng	Bài giảng
2	Chương 1. Các khái niệm về từ trường Chương 2. Các khái niệm về vật liệu từ Chương 3. Khái niệm về chất sắt từ và ứng dụng (3LT + BT) Nguồn từ trường, các định luật điện từ Khả năng ứng dụng của các vật liệu từ Khái niệm và phân loại vật liệu từ Khái niện về sắt từ.	Chương 1, 2 và 3 + Bài giảng	Chương 1, 2 và 3
3	Chương 4 . Momen từ nguyên tử (3 LT + BT) Cấu hình điện tử Mô hình vecto nguyên tử Tác nhân Lande	Chương 4 + Bài giảng	Chương 4
4	Chương 5. Sồ hạng nguyên tử (3 LT + BT) Qui tắc Madelung và qui tắc Hund	Chương 5 + Bài giảng	Chương 5
5	Chương 6 Nghịch từ và Thuận từ (3 LT + BT) Nghịch từ Thuận từ và thuận từ lượng tử Siêu thuận từ	Chương 6 + Bài giảng	Chương 6
6	Chương 7. Lý thuyết sắt từ (3 LT + BT) Lý thuyết sắt từ Weiss Lý thuyết trường phân tử Lý thguyết Vùng năng lượng Lý thuyết lượng tử	Chương 7 + Bài giảng	Chương 7
7	Chương 8 (3 LT + BT) Lý thuyết vùng năng lượng và momen từ của hợp kim	Chương 8 + Bài giảng	Chương 8
8	Chương 9 Tương tác trong vật liệu từ (3 LT + BT) Dị hướng từ Từ giảo Năng lượng tĩnh từ, trường khử từ Dị hướng hình dạng	Chương 9 + Bài giảng	Chương 9
9	Chương 10 Cấu trúc đomen (3 LT + BT) Vách đomen Domen và tạp chất Đơn domen	Chương 10 + Bài giảng	Chương 10
10	Chương 11 Quá trình từ hóa và lực kháng từ (3 LT + BT) Dịch vách đomen Xoay vecto từ độ Mô hình Stoner-Wolfarth Lực kháng từ	Chương 11 + Bài giảng	Chương 11
11	Chương 12 Phản sắt từ và Feri từ (3 LT + BT) Phản sắt từ Feri từ	Chương 12 + Bài giảng	Chương 12
12	Chương 13 Vật liệu từ mềm (3 LT + BT) Thép kỹ thuật điện Pecmaloi Ferit từ mềm	Chương 13 + Bài giảng	Chương 13
13	Chương 14 Vật liệu từ cứng (3 LT + BT) Các đặc điểm chung AlNiCo Nam châm đất hiếm Ferit lục giác	Chương14 + Bài giảng	Chương14
14	Chương 15 Các vật liệu từ hiện đại (3 LT + BT) Vật liệu từ VĐH và Nano tinh thể Nam châm nano-đa pha	Chương 15 + Bài giảng	Chương 15
15	Ôn tập

12. Nội dung các bài thí nghiệm (thực hành, tiểu luận, bài tập lớn)

TN1: Đo đường cong từ hóa chế độ tĩnh, xác định các đại lượng B_S, H_C

TN2: Đo đường cong từ hóa chế độ động, xác định độ tổn hao lõi dẫn từ ở các tần số.

TN3: Đo đặc trưng của biến thế và so sánh các loại lõi từ.

TN4: Đặc trưng của cảm biến từ và ứng dụng xác định từ trường.

tải về 2.04 Mb.

Chia sẻ với bạn bè của bạn:

1 ... 15 16 17 18 19 20 21 22 23