Inmarsat-b ship earth station equipment technical requirements

Phát xạ

10 kHz-150 kHz 63 mV-0,3 mV (96 dBμV-50 dBμV)

150 kHz-350 kHz 1 mV-0,3 mV (60 dBμV-50 dBμV)

350 kHz-30 MHz 0,3 mV (50 dBμV)

Phát xạ
bức xạ

150 kHz-300 kHz 10 mV/m-316 μV/m (80 dBμV/m-52 dBμV/m)

300 kHz-30 MHz 316 μV/m-50 μV/m (52 dBμV/m-34 dBμV/m)

30 MHz-2 GHz 500 μV/m (54 dBμV/m) ngoại trừ:

156 MHz-165 MHz 16 μV/m (24 dBμV/m) gần đỉnh

hoặc 32 μV/m (30 dBμV/m) đỉnh

5.5.2. Phát xạ dẫn
17

5.5.2.1. Mục đích

Phép thử này đo các tín hiệu do thiết bị phát ra tại cổng nguồn có thể dẫn sang nguồn cung cấp của tàu, do đó sẽ gây nhiễu lên các thiết bị khác.

5.5.2.2. Phương pháp đo

Phát xạ phải được đo bởi thiết bị thu đo gần đỉnh như chỉ rõ trong CISPR 16-1. Mạng nguồn giả V theo như CISPR 16-1, như ở hình 2, được sử dụng để cung cấp trở kháng xác định ở tần số cao qua các cực của EUT, và để cô lập mạch kiểm tra khởi các tín hiệu tần số sóng vô tuyến không mong muốn trên mạng nguồn. Độ rộng băng tần đo trong dải tần từ 10 kHz đến 150 kHz là 200 Hz, và trong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz là 9 kHz.

Các cáp nguồn đầu vào giữa các cổng nguồn a.c. và d.c. của EUT và mạng nguồn giả phải được che chắn và không vượt quá độ dài 0,8 m. Nếu EUT có nhiều hơn một khối với các cổng nguồn a.c và/hoặc d.c riêng, các cổng nguồn của cùng một điện áp cung cấp danh định có thể được nối song song với mạng cung cấp nguồn giả.

Đo kiểm phải được thực hiện với mọi thiết bị đo và EUT được đỡ và gắn
với mặt phẳng đất. Trong trường hợp không có mặt phẳng đất, có thể thực hiện
các sắp đặt tương đương sử dụng khung hay thảm kim loại của EUT làm đất
chuẩn.

Hình 2a - Ví dụ mô phỏng mạng nguồn giả V 50 Ω/50 μH + 5 Ω sử dụng

18

Hình 2b - Ví dụ mô phỏng mạng nguồn giả V 50 Ω/50 μH + 5 Ω sử dụng

Hình 2. Mạng nguồn giả để kiểm tra phát xạ dẫn

5.5.2.3. Kết quả yêu cầu

Trong dải tần từ 10 kHz đến 30 MHz, điện áp tần số vô tuyến của các cực

Hình 3. Giới hạn điện áp tại cực tần số vô tuyến cho phát xạ dẫn

5.5.3. Phát xạ bức xạ từ cổng vỏ

5.5.3.1. Mục đích

Phép thử này đo bất kỳ tín hiệu nào bức xạ từ thiết bị mà không qua ăng

5.5.3.2. Phương pháp đo

a) Thiết bị thu đo gần đỉnh chỉ rõ trong CISPR 16-1 được sử dụng. Độ rộng băng tần thiết bị thu trong dải tần từ 150 kHz đến 300 MHz là 9 kHz, và trong dải tần từ 30 MHz đến 2 GHz là 120 kHz.

Với các tần số từ 150 kHz đến 30 MHz phép đo phải sử dụng trường từ H. Ăng ten đo là ăng ten vòng có màn chắn điện và có kích thước sao cho có thể đặt vừa khít trong một hình vuông có mỗi cạnh dài 60 cm, hay một thanh ferit thích hợp như chỉ rõ trong CISPR 16-1.

Hệ số hiệu chỉnh của ăng ten bao gồm hệ số +51,5 dB chuyển đổi cường độ từ trường thành điện trường tương ứng.

Với các tần số trên 30 MHz phép đo phải sử dụng trường từ E. Ăng ten đo là ăng ten lưỡng cực cân bằng độ dài cộng hưởng, hay lưỡng cực thu gọn thay thế hay ăng ten có độ tăng ích cao như chỉ rõ trong CISPR 16-1. Kích thước của ăng ten đo theo hướng của EUT không được vượt quá 20 % khoảng cách đến EUT. Với các tần số trên 80 MHz, có thể thay đổi độ cao của tâm ăng ten đo so với mặt đất trong phạm vi từ 1 m đến 4 m.

Vị trí đo kiểm phải tuân thủ CISPR 16-1, sử dụng mặt phẳng đất bằng kim loại và có kích thước sao cho cho phép khoảng cách đo là 3 m.

EUT phải được lắp đặt hoàn chỉnh, đầy đủ với các cáp kết nối liên kết và được gắn lên mặt phẳng hoạt động bình thường.

Khi EUT gồm nhiều khối thì các cáp liên kết (khác với phi đơ ăng ten) giữa khối chính và các khối khác phải bằng giá trị cực đại xác định bởi nhà sản xuất hoặc 20 m tùy theo giá trị nào nhỏ hơn. Các cổng vào/ra sẵn có phải được kết nối với cáp có độ dài cực đại quy định bởi nhà sản xuất hoặc 20 m tùy theo giá trị nào nhỏ hơn và được kết cuối để mô phỏng trở kháng của thiết bị phụ trợ mà chúng thường nối tới.

Phần chiều dài vượt quá của các cáp này phải được bó lại tại điểm giữa với mỗi bó từ 30 cm đến 40 cm trong mặt phẳng nằm ngang từ cổng mà chúng kết nối. Nếu không thể thực hiện được điều này do khối cáp lớn hay có độ cứng cao, thì có thể sắp xếp cáp càng gần với yêu cầu càng tốt và sắp xếp này phải được nêu rõ trong biên bản thử nghiệm.

Ăng ten thử được đặt cách EUT 3 m. Tâm của ăng ten cách mặt đất ít nhất
1,5 m. Ăng ten trường E được điều chỉnh độ cao và hướng quay để có phân cực
đứng và ngang, khi đã song song với mặt đất, để xác định mức phát xạ cực đại.
20

Cuối cùng, ăng ten được di chuyển vòng quanh EUT, để xác định mức phát xạ cực đại một lần nữa, hay EUT có thể được đặt trong mặt phẳng trực giao với ăng ten thử tại điểm giữa và quay để đạt được cùng một kết quả.

b) Hơn nữa, trong băng tần số từ 156 MHz đến 165 MHz, phép đo phải được lặp lại với độ rộng băng tần thu 9 kHz, các điều kiện khác ở a) sẽ không đổi.

c) Cũng có thể lựa chọn cách khác, trong băng tần số từ 156 MHz đến 165 MHz, là sử dụng một thiết bị thu giá trị đỉnh hay thiết bị phân tích tần số, tùy theo thỏa thuận giữa nhà sản xuất và cơ quan đo kiểm.

5.5.3.3. Kết quả yêu cầu

a) Trong dải tần từ 150 kHz đến 2 GHz, giới hạn bức xạ tại khoảng cách 3 m từ cổng vỏ được chỉ rõ ở hình 4.

b) Trong dải tần từ 156 MHz đến 165 MHz, giới hạn bức xạ tại khoảng cách 3 m từ cổng vỏ là 24 dBµV/m.

c) Trong cách lựa chọn khác, trong dải tần từ 156 MHz đến 165 MHz, giới hạn phát xạ tại khoảng cách 3 m từ cổng vỏ là 30 dBµV/m.

Hình 4. Giới hạn phát xạ bức xạ từ cổng vỏ

5.6. Miễn nhiễm điện từ

5.6.1. Khái quát

Trong các phép thử này, EUT phải tuân thủ cấu hình hoạt động, thủ tục lắp đắt và nối đất bình thường, trừ khi có thay đổi được chỉ rõ, và hoạt động trong điều kiện đo kiểm bình thường.

Giao diện đặc biệt của EUT với môi trường điện từ bên ngoài được gọi là các cổng. Giới hạn vật lý của EUT qua đó các trường điện từ có thể bức xạ hay tác động là cổng vỏ (Hình 1).

Các phép thử chế độ chênh lệch là các phép thử được áp dụng giữa các đường điện, đường tín hiệu và đường điều khiển.

Các phép thử chế độ chung là các phép thử được áp dụng giữa các nhóm đường dây và điểm tham chiếu chung, thường là đất.

Đối với các phép thử miễn nhiễm, các kết quả được đánh giá theo các tiêu chí chất lượng phụ thuộc vào các điều kiện hoạt động và các đặc tính chức năng của EUT, và được định nghĩa như sau:

- Tiêu chí chất lượng A: EUT phải tiếp tục hoạt động bình thường trong
và sau khi thử. Không được xảy ra suy giảm chất lượng hay mất chức năng như
đã định nghĩa trong tiêu chuẩn thiết bị và chỉ tiêu kĩ thuật do nhà sản xuất cung
cấp

- Tiêu chí chất lượng B: EUT phải tiếp tục hoạt động bình thường sau khi

- Tiêu chí chất lượng C: cho phép suy giảm hoặc mất chức năng tạm thời trong khi thử, với điều kiện chức năng có thể tự phục hồi, hoặc có thể phục hồi lại sau khi kết thúc phép thử bằng các bộ phận điều khiển, như đã định nghĩa trong tiêu chuẩn thiết bị và chỉ tiêu kĩ thuật do nhà sản xuất cung cấp.

Các điều kiện và phép thử được tóm tắt trong bảng 4 dưới đây. Bảng 4 cũng cung cấp các yêu cầu chỉ tiêu chất lượng cho thiết bị vô tuyến và thiết bị định vị. Với các loại thiết bị khác, tiêu chí chất lượng phải được cung cấp trong tiêu chuẩn thiết bị tương ứng và các chỉ tiêu kỹ thuật do nhà sản xuất cung cấp, tuy nhiên, tối thiểu EUT phải tuân thủ tiêu chí chất lượng C.

22

Bảng 4. Miễn nhiễm điện từ

Nhiễu dẫn tần

số vô tuyến

Nhiễu bức xạ

nhanh
Chuyển tiếp

chậm
Biến đổi nguồn
ngắn hạn
Lỗi nguồn

Phóng tĩnh điện

Xách tay Phần được bảo vệ Phần hở Phần chìm

3 V r.m.s e.m.f 150 kHz - 80 MHz, 10 V r.m.s e.m.f tại

các tần số điểm quy định

* Các cổng nguồn a.c và d.c, cổng điều khiển

và tín hiệu, chế độ chung

Tiêu chí chất lượng A

10 V/m 80 MHz - 2 GHz

Cổng vỏ *

Tiêu chí chất lượng A

Điện áp 2 kV trên các cổng nguồn a.c.

Điện áp 1 kV chế độ chung trên các cổng điều khiển và

Tiêu chí chất lượng B

1 kV đường/ đất, 0,5 kV đường/ đường

* Các cổng nguồn AC

Tiêu chí chất lượng B

Điện áp ± 20% cho 1,5 s, tần số ± 10% cho 5 s

* Các cổng nguồn AC

Tiêu chí chất lượng B

Ngắt 60 s

* Các cổng nguồn a.c và d.c.

Tiêu chí chất lượng C

Tiếp xúc 6 kV

Không khí 8 kV *

Tiêu chí chất lượng B