Qcvn 12: 2015/btttt quy chuẩn kỹ thuật quốc gia về thiết bị ĐẦu cuối thông tin di đỘng gsm



tải về 1.36 Mb.
trang14/14
Chuyển đổi dữ liệu06.06.2018
Kích1.36 Mb.
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   14

3. QUY ĐỊNH VỀ QUẢN LÝ


Các thiết bị đầu cuối thông tin di động GSM thuộc phạm vi điều chỉnh trong mục 1.1 phải tuân thủ các quy định kỹ thuật trong Quy chuẩn này.

4. TRÁCH NHIỆM CỦA TỔ CHỨC, CÁ NHÂN


Các tổ chức, cá nhân liên quan có trách nhiệm thực hiện chứng nhận hợp quy và công bố hợp quy các thiết bị đầu cuối thông tin di động GSM và chịu sự kiểm tra của cơ quan quản lý nhà nước theo các quy định hiện hành.


5. TỔ CHỨC THỰC HIỆN


5.1. Cục Viễn thông và các Sở Thông tin và Truyền thông có trách nhiệm tổ chức hướng dẫn, triển khai quản lý các thiết bị đầu cuối thông tin di động GSM theo Quy chuẩn này.

5.2. Quy chuẩn này được áp dụng thay thế cho Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia QCVN 12:2010/BTTTT “Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia về máy di động GSM (pha 2 và 2+)”.

5.3. Trong trường hợp các quy định nêu tại Quy chuẩn này có sự thay đổi, bổ sung hoặc được thay thế, việc thực hiện tuân theo quy định tại văn bản mới.

PHỤ LỤC A

(Quy định)

Các phương pháp đo


A.1. Các điều kiện chung

A.1.1 Vị trí đo kiểm ngoài trời và sắp đặt phép đo sử dụng trường bức xạ

Vị trí đo kiểm ngoài trời phải nằm trên một bề mặt có độ cao thích hợp hoặc mặt đất, tại điểm trên mặt phẳng đất có đường kính tối thiểu 5 m. Tại giữa của mặt phẳng đất này đặt một cột chống không dẫn điện và có khả năng quay 3600 theo phương nằm ngang sử dụng để đỡ mẫu đo cao hơn mặt phẳng 1,5 m.

Vị trí đo kiểm phải đủ lớn để gắn được thiết bị đo và ăng ten phát ở khoảng cách nửa độ dài bước sóng hoặc tối thiểu 3 m, tùy theo giá trị nào lớn hơn. Các phản xạ từ các đối tượng khác cạnh vị trí đo và các phản xạ từ mặt đất phải được ngăn ngừa để không làm sai lệch kết quả đo.

Ăng ten đo được sử dụng để xác định phát xạ cho cả mẫu đo và ăng ten thay thế khi vị trí này được sử dụng cho phép đo phát xạ. Nếu cần thiết, ăng ten thay thế được sử dụng như một ăng ten phát trong trường hợp vị trí đo được sử dụng để đo các đặc tính máy thu. Ăng ten này được gắn trên một cột chống, cho phép ăng ten có thể sử dụng phân cực đứng hoặc ngang và độ cao từ tâm của nó so với mặt phẳng đất thay đổi được trong khoảng từ 1 m đến 4 m.

Tốt nhất là sử dụng các ăng ten đo có tính định hướng cao. Kích thước của ăng ten đo kiểm dọc theo trục đo phải không lớn hơn 20 % khoảng cách đo.

Đối với phép đo phát xạ, ăng ten đo được nối với máy thu đo có khả năng hiệu chuẩn đến các tần số cần đo và đo được chính xác các mức tín hiệu đầu vào có liên quan. Khi cần thiết (đối với phép đo máy thu) máy thu đo được thay thế bằng nguồn tín hiệu.

Ăng ten thay thế phải là ăng ten lưỡng cực nửa bước sóng cộng hưởng tại tần số cần đo hoặc phải là ăng ten lưỡng cực thu gọn, hoặc phải là bộ phát xạ loa (trong dải 1 đến 4 GHz). Các loại ăng ten khác với ăng ten lưỡng cực nửa bước sóng phải được hiệu chuẩn theo lưỡng cực nửa bước sóng. Tâm của ăng ten này phải trùng với điểm chuẩn của mẫu đo kiểm mà nó thay thế. Điểm chuẩn phải là tâm của mẫu đo kiểm khi ăng ten của nó được gắn trong buồng đo, hoặc điểm mà ăng ten bên ngoài được nối với buồng đo. Khoảng cách giữa điểm dưới cùng của ăng ten lưỡng cực và mặt đất tối thiểu phải là 30 cm.

Ăng ten thay thế được nối với bộ tạo tín hiệu đã hiệu chuẩn khi vị trí được sử dụng cho phép đo phát xạ và được nối với máy thu đo đã được hiệu chuẩn khi vị trí được sử dụng cho phép đo đặc tính máy thu. Bộ tạo tín hiệu và máy thu đo phải hoạt động tại tần số đo và phải được nối với ăng ten qua mạng cân bằng và bộ phối ghép.



A.1.2. Buồng đo không dội

Thay vì sử dụng vị trí đo kiểm ngoài trời như trên có thể sử dụng vị trí đo kiểm trong nhà bằng cách sử dụng buồng đo không dội mô phỏng môi trường không gian tự do. Nếu đo kiểm trong buồng đo không dội, điều này phải được ghi trong báo cáo đo.

CHÚ THÍCH: Buồng đo không dội là vị trí đo thích hợp cho những phép đo trong Quy chuẩn này. Vị trí đo có thể là buồng đo không dội chống tĩnh điện có kích thước 10 m × 5 m × 5 m. Tường và trần được phủ một lớp hấp thụ sóng vô tuyến cao 1 m. Sàn phủ vật liệu hấp thụ dày 1 m có khả năng chứa thiết bị đo kiểm. Khoảng cách đo từ 3 đến 5 m dọc theo trục giữa của buồng đo có thể được sử dụng để đo các tần số trên 10 GHz.

Ăng ten đo, máy thu đo, ăng ten thay thế và bộ tạo tín hiệu có hiệu chuẩn được sử dụng giống như phương pháp đo ở vị trí đo kiểm ngoài trời, ngoại trừ độ cao ăng ten không được thay đổi và phải có độ cao cùng với mẫu đo kiểm vì các phản xạ sàn bị loại bỏ. Trong dải 30 MHz ÷ 100 MHz có thể phải hiệu chuẩn thêm nếu cần.



A.1.3. Đầu nối ăng ten tạm thời

Nếu MS cần đo không có đầu nối cố định 50 Ω, khi đo kiểm cần phải được sửa đổi để gắn với đầu nối ăng ten 50 Ω tạm thời.

Ăng ten tích hợp cố định phải được sử dụng để đo:


  • Công suất phát xạ hiệu dụng máy phát.

  • Phát xạ giả bức xạ.

Khi đo trong băng tần thu (925 MHz ÷ 960 MHz): Hệ số ghép nối ăng ten tạm thời được xác định bằng thủ tục trong mục A.1.5.3, Phụ lục A. Khi sử dụng đầu nối ăng ten tạm thời, hệ số ghép nối ăng ten tạm thời phải được sử dụng để tính toán khi xác định mức kích thích hoặc mức đo trong băng tần thu.

Khi đo trong băng tần phát (880 MHz ÷ 915 MHz): Hệ số ghép nối ăng ten tạm thời được xác định bằng thủ tục trong 2.2.8.3.b). Khi sử dụng đầu nối ăng ten tạm thời, hệ số ghép nối ăng ten tạm thời phải được sử dụng để tính toán khi xác định mức đo hoặc mức kích thích trong băng tần phát.

Đối với các tần số ngoài băng tần GSM (880 MHz ÷ 915 MHz và 925 MHz ÷ 960 MHz), hệ số ghép nối ăng ten tạm thời được giả định là 0 dB.

CHÚ THÍCH 1: Độ không đảm bảo khi xác định các giá trị của hệ số ghép nối ăng ten tạm thời liên quan trực tiếp đến độ không đảm bảo đo của giá trị cường độ trường đo trong 2.2.8.3.b) và Phụ lục A.1.5.2 (khoảng ±3 dB). Nhà sản xuất MS và đơn vị đo kiểm thỏa thuận sử dụng giá trị hệ số ghép nối ăng ten tạm thời là 0 dB.

CHÚ THÍCH 2: Khi đo trong băng tần thu của MS (925 MHz ÷ 960 MHz) tại 2.2.16 và 2.2.21, giá trị độ không đảm bảo thích hợp đang được nghiên cứu thêm.

CHÚ THÍCH 3: Độ không đảm bảo của hệ số ghép nối ăng ten tạm thời trong băng tần phát của MS (880 MHz ÷ 915 MHz) có thể được điều chỉnh cho thích hợp với các mức đo kiểm.

Để đảm bảo các phép đo trường tự do được thực hiện trước khi các tham số của MS được sửa đổi, phép đo phải được thực hiện theo thứ tự như sau:


  • Mục 2.2.13.

  • Phụ lục A, mục A.1.5.1 và mục A.1.5.2.

  • Mục 2.2.8.3.b) (trong bước này các tham số của MS được sửa đổi).

  • Phụ lục A, mục A.1.5.3.

  • Các phép đo còn lại trong mục 2.

A.1.4. Các đặc tính đầu nối ăng ten tạm thời

Cách đấu nối thiết bị cần đo với đầu nối ăng ten tạm thời phải chắc chắn và có khả năng đấu nối lại với thiết bị cần đo.

Đầu nối ăng ten tạm thời phải đưa ra trở kháng 50 Ω danh định trên dải tần GSM phát và thu. Suy hao trong dải 100 kHz đến 12,75 GHz phải nhỏ hơn 1 dB.

Mạch kết nối phải truyền được băng thông lớn nhất và không chứa các thiết bị tích cực và phi tuyến.

Đặc tính của đầu nối phải không chịu ảnh hưởng đáng kể do nhiệt trong dải từ -25 0C đến +60 0C.

A.1.5. Hiệu chuẩn đầu nối ăng ten tạm thời

Đối với các thiết bị gắn ăng ten thích hợp và không có cách thức đấu nối cố định với ăng ten ngoài, cần có một thủ tục hiệu chuẩn để thực hiện phép đo trên đầu nối ăng ten tạm thời.

Đầu nối ăng ten tạm thời này khi hiệu chuẩn sẽ cho phép tất cả các thủ tục đo máy thu đồng nhất với các thiết bị có ăng ten tích hợp và với các thiết bị có đầu nối ăng ten.

Thủ tục hiệu chuẩn phải được thực hiện tại 3 tần số ARFCN trong các dải ARFCN thấp, trung và cao. Thủ tục gồm 3 bước:

1) Thiết lập mẫu bức xạ ăng ten của MS tại ba tần số đã chọn.

2) Hiệu chuẩn dải đo (hoặc buồng đo không dội) đối với các điều kiện cần thiết trong bước 1).

3) Xác định hệ số ghép nối đầu nối ăng ten tạm thời.

A.1.5.1. Mẫu bức xạ ăng ten

a) MS phải nằm trong vị trí đo kiểm ngoài trời hoặc trong buồng đo không dội, biệt lập, trên vị trí trục đứng theo hướng chỉ định bởi nhà sản xuất, vị trí này là vị trí 00.

Ăng ten đo được nối với SS phải nằm trong buồng đo không dội, hoặc trên vị trí đo kiểm ngoài trời, cách MS tối thiểu 3 m.

b) Cuộc gọi được khởi nguồn từ SS đến MS trên tần số trong dải ARFCN thấp. MS trả lời cuộc gọi. SS điều khiển để MS phát với mức công suất phát lớn nhất.

c) SS sử dụng tham số ước tính cho vị trí đo kiểm ngoài trời hoặc buồng đo không dội để thiết lập mức đầu ra E để đưa đến mức vào máy thu MS khoảng 32 dμVemf.

Giá trị này tương ứng với mức cường độ trường 55,5 dBμV/m tại vị trí của MS. Tín hiệu phải là tín hiệu đo kiểm chuẩn C1.

CHÚ THÍCH 1: Giá trị của mức tín hiệu thu chưa phải là giá trị khắc nghiệt, tuy nhiên nó đảm bảo rằng máy thu MS hoạt động tối thiểu không có lỗi, nó cũng là đủ nhỏ để tránh các hiệu ứng phi tuyến trong máy thu.

d) SS sẽ sử dụng bản tin RXLEV từ MS để xác định giá trị cường độ trường. Chi tiết thủ tục trong biểu đồ Hình A.1.

Mức tín hiệu từ SS là kết quả trong quá trình chuyển tiếp từ RXLEVa đến RXLEVb phải được ghi lại như Ei.

CHÚ THÍCH 2: Các giá trị thực của RXLEVa và RXLEVb cần phải được ghi lại vì điểm chuyển tiếp này sẽ được sử dụng như một điểm chuẩn cho các bước tiếp theo trong thủ tục hiệu chuẩn.

e) Lặp lại bước d) sau khi quay MS góc n×450 theo mặt phẳng nằm ngang. Đảm bảo là cùng một chuyển tiếp RXLEV được sử dụng, các mức tín hiệu từ SS được ghi lại như Ein.

f) Tính mức tín hiệu trung bình có hiệu quả từ giá trị RMS của 8 mức tín hiệu thu được trong bước d) và e) ở trên theo công thức sau:



g) Lặp lại các bước b) đến f), riêng trong bước b) sử dụng ARFCN trong dải ARFCN giữa để có được mức tín hiệu trung bình E2. Đảm bảo chuyển tiếp RXLEV được dùng là như nhau.



h) Lặp lại các bước b) đến f), riêng trong bước b) sử dụng ARFCN trong dải ARFCN cao để có được mức tín hiệu trung bình E3. Đảm bảo chuyển tiếp RXLEV được dùng là như nhau.


Hình A.1

A.1.5.2 Hiệu chuẩn dải đo

Bước này để xác định cường độ trường thực tại MS tương ứng với 3 mức tín hiệu E1, E2 và E3 đã thiết lập trong A.1.5.1. sử dụng các thủ tục sau:

a) Thay thế MS bằng ăng ten thu đã hiệu chuẩn nối với máy thu đo.

b) Với mỗi tần số sử dụng trong A.1.5.1, đo cường độ trường Efr tương ứng với từng mức tín hiệu Er xác định được trong bước f), g) và h) của A.1.5.1 ghi lại các giá trị này là Ef1, Ef2, Ef3.



A.1.5.3 Hệ số ghép nối đầu nối ăng ten tạm thời

Hệ số ghép nối đầu nối ăng ten tạm thời là quan hệ tính bằng dB giữa tín hiệu đầu ra của SS và tín hiệu đầu vào có hiệu quả của MS.

Mẫu đo MS được cải tiến cho thích hợp với đầu nối ăng ten tạm thời phù hợp với A.1.3. hoặc một MS thứ hai thích hợp với đầu nối ăng ten tạm thời đó.

CHÚ THÍCH: Nếu chỉ có một MS dùng cho đo kiểm, phép đo phát xạ giả bức xạ (máy phát và máy thu) và phép đo độ nhạy máy thu phải được thực hiện trước khi cải tiến MS cho phù hợp với đầu nối ăng ten tạm thời.

Thủ tục hiệu chuẩn như sau:

a) Đầu nối tạm thời của MS được nối với đầu ra của SS.

b) Cuộc gọi được khởi nguồn từ SS đến MS sử dụng tần số trong dải ARFCN thấp.

MS trả lời cuộc gọi. Điều khiển SS để MS có mức công suất đầu ra lớn nhất, không sử dụng chế độ mã hóa nhảy tần.

c) SS sử dụng các thủ tục trong A.1.5.1 để điều chỉnh mức tín hiệu đầu ra của nó để xác định chuyển tiếp RXLEVa đến RXLEVb. Mức tín hiệu này được ghi lại là Ec1.

d) Lặp lại các bước b) và c) đối với các tần số trong dải ARFCN giữa và cao. Ghi lại các chuyển tiếp RXLEV theo thứ tự là Ec2 và Ec3.



e) Hệ số ghép nối đầu nối ăng ten tạm thời F được tính từ công thức:

Trong đó Kn = hệ số chuyển đổi ăng ten đẳng hướng tính bằng μV/m tại tần số phù hợp với ARCFN đã sử dụng.



f) Hệ số ghép nối ăng ten trung bình Fm sử dụng cho các phép đo có yêu cầu nhảy tần phải được tính từ giá trị RMS của các tham số trong bước e) như sau:







g) Trong tất cả các phép đo với MS có ăng ten tích hợp, mức tín hiệu tại đầu nối ăng ten tạm thời được xác định từ công thức: Ein = Ereq + F

Trong đó: Ein = mức tín hiệu tại thiết bị kết nối (dBμVemf)

Ereq = mức tín hiệu do phép đo yêu cầu (dBμVemf)

F = hệ số ghép nối tại ARFCN tương ứng (dB)

Giá trị chỉ thị trong các thủ tục là Ereq, dBμVemf(), phần ngoặc đơn rỗng đọc là Ein.

Đối với các tần số nằm ngoài băng tần thu hoặc phát, sử dụng độ tăng ích ăng ten 0 dBi.

A.2. Các điều kiện khắc nghiệt và bình thường

A.2.1. Nguồn nuôi và nhiệt độ môi trường

Trong các phép đo chứng nhận hợp chuẩn, nguồn nuôi của thiết bị cần đo phải được thay thế bằng nguồn đo kiểm có khả năng cung cấp các điện áp khắc nghiệt và bình thường. Trở kháng trong của nguồn đo kiểm phải đủ nhỏ để ảnh hưởng không đáng kể đến kết quả đo. Điện áp của nguồn đo kiểm phải được đo kiểm tra tại đầu vào của thiết bị cần đo. Nếu thiết bị có cáp nguồn kết nối cố định, điện áp đo kiểm phải được đo tại điểm nối giữa cáp nguồn với thiết bị cần đo. Với các thiết bị có pin tích hợp, nguồn đo kiểm phải được đưa vào vị trí đầu nối của pin càng gần càng tốt.

Trong quá trình đo đảm bảo dung sai điện áp nguồn nuôi trong phạm vi ±3 % so với điện áp tại thời điểm bắt đầu mỗi phép đo.

A.2.2. Điều kiện bình thường

Điều kiện nhiệt độ và độ ẩm bình thường dùng để đo kiểm là một trong những giá trị nhiệt độ và độ ẩm trong dải sau:



  • Nhiệt độ: +15 0C đến +35 0C

  • Độ ẩm tương ứng: 20 % đến 75 %

CHÚ THÍCH: Nếu không thực hiện được phép đo trong các dải điều kiện trên, nhiệt độ và độ ẩm thực phải được ghi lại trong báo cáo đo.

Điện áp bình thường đối với các thiết bị được nối với nguồn cung cấp là điện áp danh định của nguồn cung cấp.

Điện áp danh định phải là giá trị điện áp được công bố hoặc một trong số các giá trị điện áp được công bố theo thiết kế của thiết bị. Tần số của nguồn đo kiểm so với nguồn cung cấp phải nằm trong phạm vi 1 Hz của tần số nguồn cung cấp danh định.

Nếu thiết bị vô tuyến được dự định dùng nguồn ắc-qui axit-chì của các phương tiện vận tải, điện áp đo kiểm danh định phải bằng 1,1 lần điện áp danh định đo kiểm của ắc-qui (6 V hoặc 12 V).

Đối với thiết bị hoạt động dựa trên các nguồn nuôi hoặc các loại ắc-qui khác (sơ cấp hoặc thứ cấp) điện áp đo kiểm là điện áp do nhà sản xuất thiết bị công bố.

A.2.3. Các điều kiện khắc nghiệt

Khi đo kiểm trong điều kiện khắc nghiệt, phải áp dụng 4 tổ hợp nhiệt độ và điện áp khắc nghiệt trong Bảng A.1.








1

2

3

4

Nhiệt độ

Cao

Cao

Thấp

Thấp

Điện áp

Cao

Thấp

Cao

Thấp

Khi đo kiểm tại nhiệt độ khắc nghiệt, phép đo phải được thực hiện tại các nhiệt độ trong Bảng A.2, theo như các thủ tục đo đưa ra trong công bố IEC 68-2-1 và 68-2-2 đối với các phép đo tại nhiệt độ thấp và cao.

Đối với phép đo tại nhiệt độ cao, sau khi đạt được cân bằng nhiệt, MS được bật nguồn trong trạng thái phát (non DTX) trong khoảng thời gian 1 phút tiếp theo là 4 phút trong chế độ rỗi (non DRX), với trạng thái này, MS phải thỏa mãn các yêu qui định.



Khi đo tại nhiệt độ thấp, sau khi đạt được cân bằng nhiệt, MS được chuyển sang chế độ rỗi (non DRX) trong thời gian 1 phút, với trạng thái này, MS phải thỏa mãn các yêu cầu qui định.



Loại MS

Nhiệt độ (0C)

Thấp

Cao

Máy MS nhỏ

-10

+55

Các loại MS khác

-20

+55

CHÚ THÍCH: điện thoại di động, máy tính bảng, card dữ liệu, các modul nhúng,… được coi là thuộc nhóm MS nhỏ

Khi đo tại điện áp khắc nghiệt, phép đo phải được thực hiện tại các điện áp khắc nghiệt thấp và cao theo như nhà sản xuất công bố. Đối với các MS hoạt động được đối với một hoặc nhiều nguồn điện áp trong danh sách dưới đây, điện áp khắc nghiệt mức thấp không được lớn hơn mức điện áp chỉ ra trong Bảng A.3 và điện áp khắc nghiệt mức cao sẽ không được nhỏ hơn mức điện áp trong Bảng A.3.






Điện áp (so với giá trị danh định)

Điện áp khắc nghiệt thấp

Điện áp khắc nghiệt cao

Điều kiện bình thường

Nguồn cung cấp










Nguồn AC

0,9

1,1

1,0

Ắc-qui axit-chì thông thường

0,9

1,3

1,1

Ắc-qui không thông thường










Leclanché/

0,85

1,0

1,0

Lithium

0,95

1,10

1,10

Mercury/ nickel cadmium

0,9

1,0

1,0

A.2.4. Các yêu cầu đối với chế độ rung

Khi đo kiểm MS trong chế độ rung, phải sử dụng chế độ rung ngẫu nhiên, dải tần rung và mật độ phổ gia tăng (ASD) phải tuân theo Bảng A.4.





Tần số rung (Hz)

ASD (m2/s3)

5 ÷ 20

0,96

20 ÷ 500

0,96 tại 20 Hz, sau đó là -3 dB/octave

Đo kiểm phải được thực hiện như mô tả trong tài liệu 68-2-36 của IEC.

A.3. Các thuật ngữ đo kiểm vô tuyến

Các điều kiện về truyền dẫn vô tuyến tham chiếu từ các mô hình truyền dẫn đa đường trong 3GPP TS 05.05. Các điều kiện này được biểu thị bởi:



  • Đứng yên;

  • Vùng nông thôn (RA);

  • Vùng địa hình có nhiều đồi núi (HT);

  • Vùng thành phố (TU); hoặc

  • Đo kiểm bằng phương pháp cân bằng (EQ).

Các đặc tả di chuyển liên quan đến tốc độ di chuyển tiêu biểu của MS tính theo km/h, ví dụ như TU1,5, TU3, TU50, HT100, EQ50.

Trong Quy chuẩn này sử dụng qui ước sau:





Thuật ngữ

GSM 900

DCS 1 800

RA

RA250

RA130

HT

HT100

HT100

TUhigh

TU50

TU50

TUlow

TU3

TU1,5

EQ

EQ50

EQ50

Khi đo trong các dải ARFCN, áp dụng các giá trị trong Bảng A.6.



Thuật ngữ

P-GSM 900

E-GSM 900

DCS 1 800

Dải ARFCN thấp

1 đến 5

975 đến 980

513 đến 523

Dải ARFCN giữa

60 đến 65

60 đến 65

690 đến 710

Dải ARFCN cao

120 đến 124

120 đến 124

874 đến 884

CHÚ THÍCH: trong quy chuẩn này thuật ngữ “GSM900” là đã bao gồm cả P-GSM 900 và E-GSM 900.

A.4. Lựa chọn tần số trong chế độ nhảy tần

Đối với các phép đo sử dụng chế độ nhảy tần, 38 tần số được sử dụng trên

P-GSM 900: băng tần 21 MHz

E-GSM 900: băng tần 21 MHz

DCS 1 800: băng tần 75 MHz


  1. - Các tần số nhảy tần




ARFCN

P-GSM 900

10, 14, 17, 18, 22, 24, 26, 30, 31, 34, 38, 42, 45, 46, 50, 52, 54, 58, 59, 62,

66, 70, 73, 74, 78, 80, 82, 86, 87, 90, 94, 98, 101, 102, 106, 108, 110, 114



E-GSM 900

984, 988, 991, 992, 996, 998, 1 000, 1 004, 1 005, 1 008, 1 012, 1 016, 1_019, 1 020, 1 022, 2, 6, 10, 14, 17, 18, 22, 24, 26, 30, 31, 34, 38, 42, 45, 46, 50, 52, 54, 58, 59, 62, 64

DCS 1 800

522, 539, 543, 556, 564, 573, 585, 590, 606, 607, 624, 627, 641, 648, 658,

669, 675, 690, 692, 709, 711, 726, 732, 743, 753, 760, 774, 777, 794, 795,

811, 816, 828, 837, 845, 858, 862, 879


CHÚ THÍCH: Các dải tần dùng trong các phép đo dưới điều kiện giả lập pha đinh bị giới hạn bởi độ rộng băng giả lập pha đinh.

Đối với các phép đo sử dụng các tần số nhảy tần trên các kênh chuyển mạch gói, phải thực hiện giảm số lượng các tần số sử dụng đối với từng băng tần cụ thể.



  1. - Các tần số nhảy tần ở chế độ dữ liệu gói




ARFCN

E-GSM 900

2, 14, 22, 30, 38, 46, 54, 62, 988, 996, 998, 1004, 1012, 1016, 1020, 1022

DCS 1 800

522, 564, 585, 606, 625, 648, 669, 690, 709, 726, 743, 760, 777, 795, 816, 837, 858, 879


A.5. Các điều kiện vô tuyến "lý tưởng"

Trong Quy chuẩn này, các điều kiện sau được coi là điều kiện vô tuyến "lý tưởng":

Không có tình trạng đa đường;

Mức điều khiển công suất của MS:

GSM 900: 7

DCS 1 800: 3

Mức RF đến MS: 63 dBμVemf()

Mức RF đến MS: cao hơn mức độ nhạy chuẩn 20 dB()

Mức RF đến MS: 28 dBμVemf()

A.6. Các tín hiệu đo kiểm chuẩn

Các tín hiệu Cx đại diện cho các tín hiệu mong muốn và các tín hiệu Ix đại diện cho các tín hiệu không mong muốn.

Tín hiệu C0 Sóng mang liên tục không điều chế.

Tín hiệu C1 Tín hiệu chuẩn gồm AQPSK, 8-PSK, 16-QAM hoặc 32-QAM được điều chế thích hợp bằng GMSK. Tùy vào phép đo và chế độ mật mã, bộ mã hóa kênh sẽ được lựa chọn theo phương pháp đo. Khi sử dụng các tín hiệu này trong chế độ không nhảy tần, 7 khe thời gian không sử dụng cũng phải chứa các cụm giả, với mức công suất thay đổi theo khe thời gian sử dụng.

Tín hiệu I0 Sóng mang liên tục không điều chế.

Tín hiệu I1 Sóng mang điều chế GMSK theo cấu trúc của tín hiệu GSM, nhưng với tất cả các bit được điều chế (kể cả chu kỳ khe trung tâm) lấy trực tiếp từ chuỗi dữ liệu ngẫu nhiên hoặc giả ngẫu nhiên.

Tín hiệu I2 Các tín hiệu GSM chuẩn với khe trung tâm có hiệu lực, khác với tín hiệu C1. Các bit dữ liệu (gồm cả các bit 58 và 59) được lấy từ chuỗi dữ liệu ngẫu nhiên hoặc giả ngẫu nhiên.

Tín hiệu I3 Tín hiệu tạp Gauss trắng bổ sung (AWGN) có băng thông tối thiểu bằng 1,5 lần tốc độ symbol (symbol rate), ví dụ tối thiểu là 402,6 kHz cho một kênh GSM. Công suất AWGN phải được đo trên băng tạp là 270,833 kHz. Trong băng thông cơ sở tổ hợp, các tín hiệu AWGN phải độc lập ở phần thực và trong phần ảo, trung bình bằng 0 và với công suất bằng nhau.

Tín hiệu I4 Tín hiệu điều chế GMSK với mã chuỗi TSC hợp lệ (training sequence code - TSC) được lựa chọn ngẫu nhiên theo cơ sở từng cụm (burst-by-burst basis) từ {TSC1,…,TSC7}. Bộ tạo nhiễu phải có độ rộng một khe thời gian và phải áp dụng đường công suất có độ dốc theo yêu cầu trong 3GPP TS 45.005. Bộ tạo nhiễu phải được làm trễ theo tín hiệu không mong muốn một số nguyên symbol trong dải từ -1 đến +4. Trừ trường hợp cụ thể trong một phép đo cho trước, độ trễ phải là số ngẫu nhiên và phải duy trì cố định trong suốt quá trình đo.

Tín hiệu I5 Sóng mang điều chế GMSK theo cấu trúc của tín hiệu GSM, nhưng với tất cả các bit được điều chế (kể cả chu kỳ khe trung tâm) lấy trực tiếp từ chuỗi dữ liệu ngẫu nhiên hoặc giả ngẫu nhiên. Bộ tạo nhiễu phải có độ rộng một khe thời gian và phải áp dụng đường công suất có độ dốc theo yêu cầu trong 3GPP TS 45.005. Bộ tạo nhiễu phải được làm trễ theo tín hiệu không mong muốn 74 symbol.

CHÚ THÍCH: đối với cấu hình đa khe thì cùng số lượng các khe hoạt động cho tín hiệu đo kiểm I4 và I5 phải được sử dụng.

A.7. Các mức điều khiển công suất

Trong Quy chuẩn này, loại trừ một số trường hợp đặc biệt được nói rõ, nếu MS được điều khiển đến mức điều khiển công suất nhỏ nhất, SS được chấp thuận mức điều khiển công suất 15 đối với DCS 1 800 và 19 đối với các băng khác.

Loại trừ một số trường hợp được nói rõ, nếu MS được điều khiển đến mức điều khiển công suất lớn nhất, và nếu tham số MS_TXPWR_MAX_CCH được thiết lập đến mức công suất ra lớn nhất của MS, SS được chấp nhận mức điều khiển công suất tương ứng với công suất đầu ra cực đại đối với loại công suất của MS. Đối với MS GSM 900 có mức điều khiển công suất loại 2, SS được chấp nhận mức điều khiển công suất 2.

THƯ MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1] QCVN 12: 2010/BTTTT - Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia về máy di động GSM (pha 2 và 2+).

[2] ETSI EN 301 511 V9.0.2 (2003-03) - Global System for Mobile communications (GSM); Harmonized EN for mobile stations in the GSM 900 and GSM 1800 bands covering essential requirements of article 3.2 of the R&TTE directive (1999/5/EC).

[3] ETSI TS 151 010-1 V12.2.0 (2014-11) - Digital cellular telecommunications system (Phase 2+); Mobile Station (MS) conformance specification; Part 1: Conformance specification (3GPP TS 51.010-1 version 12.2.0 Release 12).

[4] IDA Singapore - Technical Specification for Cellular Mobile Terminal – 6-2011.

[5] Malaysia - Technical Specification for GSM Mobile Terminal – 2007 - SKMM WTS GSM-MT Rev. 1.01:2007.





1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   14


Cơ sở dữ liệu được bảo vệ bởi bản quyền ©hocday.com 2019
được sử dụng cho việc quản lý

    Quê hương