Hình 16: Giản đồ phân tích nhiệt của H

Từ sơ đồ trên ta nhận thấy rằng, quá trình phân hủy nhiệt của H₂PtCl₆.6H­₂O kết thúc ở nhiệt độ lớn hơn 400^oC. Vì vậy, dựa vào kết quả phân tích nhiệt của SnCl₂.2H₂O và quá trình phân hủy nhiệt của H₂PtCl₆.2H₂O, chúng tôi chọn nhiệt độ để điều chế lớp màng phủ là 400 ÷ 450⁰C. Ở nhiệt độ 400 ÷ 450⁰C có thể hình thành lớp màng mỏng có chứa các kim loại Pt, Sn trên nền Graphit xốp.

Nhiệt độ phân hủy tạo các màng trên nền Graphit xốp và kí hiệu như sau:

• 
  SnO₂/C: phân hủy nhiệt ở 450⁰C
  
• 
  Pt/C: phân hủy nhiệt ở 450⁰C
  
• 
  PtSn/C: phân hủy nhiệt ở 450⁰C
  

Vật liệu graphit xốp sau khi xử lý được nhúng vào các dung dịch chất mang (Polymeric Precusor) đã pha chế, sau đó sấy khô mẫu ở 140⁰C trong 10 phút rồi đem mẫu đã sấy khô nung ở nhiệt độ 450⁰C trong 5 phút. Quá trình này nhúng-sấy-nung lặp lại 3 lần. Sau đó, mẫu tiếp tục đuợc nung ở 450⁰C trong 2h. Hình thái của các điện cực đã chế tạo được thể hiện trên các ảnh SEM. Kết quả thu được trên hình như sau: