“Thiết kế, chế tạo các lớp điện cực cho Diode Schottky có điện thế đánh thủng cao và dòng rò cực bé cho ứng dụng kiểm soát dòng trong các thiết bị trữ điện, ôtô điện”

SỞ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH TRUNG TÂM THÔNG TIN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ Số: 130/TTTT-TTCN V/v Khảo sát thông tin đề tài nghiên cứu		CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập - Tự do - Hạnh phúc TP. Hồ Chí Minh, ngày 19 tháng 12 năm 2012
Kính gởi:	- Phòng Quản lý Khoa học Sở Khoa học và Công nghệ - ThS. Nguyễn Việt Hưng - CN. Nguễn Viết Thể

Ngoài các tài liệu đã nêu trong phiếu khảo sát thông tin, còn có các tài liệu, nghiên cứu liên quan đến từng khía cạnh của nội dung đề tài, cụ thể:

1. 
   NƯỚC NGOÀI:
   
   1. 
      Sáng chế:
      

• 
  US2012313613 High voltage and high power boost conveter with co-packaged schottky diode, 2012.
  
• 
  KR20120112217 Schottky diode and production method therefor, 2012.
  
• 
  US8334579 Schottky diode, 2012.
  
• 
  US8283243 Bottom anode schottky diode structure and method, 2012.
  
• 
  US20120305876 Schottky diode, resistive memory device having schottky diode and method of manufacturing the same, 2012.
  
• 
  US20120280307 Integrating schottky diode into power mosfet, 2012.
  
• 
  JP2004022639 Schottky barrier diode, 2004.
  

1. 
   Sách:
   

• 
  Handbook of light emitting and schottky diode research. Tác giả: N.P. Chen. Nhà xuất bản: Nova Science Pub Inc., 2009.
  
• 
  A schottky diode bridge sampling gate. Tác giả: Arnold G Perrey. Nhà xuất bản: Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1980.
  
• 
  Radiation effects on gallium arsenide devices and schottky diodes. Tác giả: R.H. Schnurr. Nhà xuất bản: PN – Paperback, 1968.
  

1. 
   Tài liệu:
   

• 
  Preparation of polycrystalline C_dZ_nT_e thick film Schottky diode for ultraviolet detectors. Tác giả: Cai Liangmin, Wang Linjun, Huang Jian, Yao Beiling, Tang Ke, Zhang Jijun, Qin Kaifeng, Min Jiahua, Xia Yiben. Nguồn: Vacuum, 2013.
  
• 
  Ga₂O₃ schottky barrier diodes fabricated on single-crystal β-Ga₂O₃ substrates. Tác giả: Sasaki Kohei, Higashiwaki Masataka, Kuramata Akito, Masui Takekazu, Yamakoshi Shigenobu. Nguồn: Device Research Conference - Conference Digest, DRC, 2012.
  
• 
  Capacitance-voltage behaviour of schottky diodes fabricated on p-type silicon for radiation-hard detectors. Tác giả: SJ Moloi, M McPherson. Nguồn: Radiation Physics and Chemistry, 2012.
  
• 
  Magnetic schottky diode exploiting spin polarized transport in Co/p-Si heterostructure. Tác giả: Sarkar A., Adhikari R., Das A.K. Nguồn: Applied Physics Letters, 2012.
  
• 
  Conjugated polymer–silicon nanowire array hybrid Schottky diode for solar cell application. Tác giả: Fute Zhang, Tao Song, Baoquan Sun. Nguồn: Nanotechnology, 2012.
  
• 
  Simulation study of a mixed terminal structure for 4H-SiC merged PiN/Schottky diode. Tác giả: Huang Jian-Hua, Lü Hong-Liang, Zhang Yu-Ming, Zhang Yi-Men, Tang Xiao-Yan, Chen Feng-Ping, Song Qing-Wen. Nguồn: Chinese Phys., 2011.
  
• 
  Fabrication and characterization of planar dipole antenna integrated with GaAs based-schottky diode for on-chip electronic device application. Tác giả: Farahiyah Mustafa, Abdul Manaf Hashim, Norfarariyanti Parimon, Shaharin Fadzli Abd Rahman, Abdul Rahim Abdul Rahman, Mohd Nizam Osman, Azlan Abdul Aziz, Md Roslan Hashim. Nguồn: IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng., 2011.
  
• 
  Ultrafast strain-induced current in a GaAs schottky diode. Tác giả: D.M. Moss, A.V. Akimov, B.A. Glavin, M. Henini, A.J. Kent. Nguồn: Phys. Rev. Lett., 2011.
  
• 
  Current-voltage modeling of bilayer graphene nanoribbon schottky diode. Tác giả: Rahmani M., Ahmadi M.T., Shayesteh N., Amin N.A., Rahmani K., Ismail R. Nguồn: Computing & Processing (Hardware/Software), 2011.
  
• 
  Shot noise reduction of space charge limited electron injection through a schottky contact for a GaN diode. Tác giả: W. Chandra, L.K. Ang, X. Zhou. Nguồn: Phys. Rev., 2010.
  
• 
  Schottky diodes selection guide. Tác giả: Rick Cory. Nguồn: rfmicrowave.it, 2009.
  
• 
  Schottky diodes. Tác giả: Rick Cory, Nguồn: Skyworks Solutions Inc., 2008.
  
• 
  HMS rectifier: a novel hybrid MOS schottky diode concept with no barrier lowering, low leakage current and high breakdown voltage. Tác giả: Khemka V., Parthasarathy V., Zhu R., Bose A. Nguồn: Power, Energy & Industry Applications, 2005.
  
• 
  Silicon carbide PiN and merged PiN schottky power diode models implemented in the saber circuit simulator. Tác giả: McNutt Ty R, Hefner Allen R Jr, Mantooth H Alan, Duliere Jeff. Nguồn: IEEE Transactions on Power Electronics, 2004.
  
• 
  Demonstration of high voltage (600–1300 V), high current (10–140 A), fast recovery 4H-SiC p-i-n/Schottky(MPS) barrier diodes. Tác giả: P Alexandrov, W Wright, M Pan, M Weiner, L Jiao, J.H Zhao. Nguồn: Solid-State Electronics, 2003.
  
• 
  Analysis of reverse current–voltage characteristics of schottky diodes based on phonon-assisted tunneling including Frenkel emission mechanism. Tác giả: P Pipinys, A Rimeika, A Pipinien. Nguồn: Solid-State Electronics, 2002.
  
• 
  Design of dual use, high efficiency, 4H-SiC schottky and MPS diodes. Tác giả: Severt C., Agarwal A., Singh R., Ryu S.H., Palmour J.W. Nguồn: Energy Conversion Engineering Conference and Exhibit, 2000.
  
• 
  New method for the simultaneous analysis of I-V/T and C-V/T measurements of anAu/p-InP epitaxial schottky diode. Tác giả: Cova P., Singh A., Masut R.A., Currie J.F. Nguồn: Materials Research Society, 1994.
  
• 
  High current p/p** plus-diamond schottky diode. Tác giả: Ebert W., Vescan A., Borst T.H., Kohn E. Nguồn: IEEE Electron Device Letters, 1994.
  
• 
  The low frequency noise model of the schottky barrier diode. Tác giả: Malyshev V.M., Usychenko V.G. Nguồn: Izvestiya VUZ: Radiofizika, 1993.
  

1. 
   Bài báo:
   

• 
  Self-powered and fast-speed photodetectors based on CdS:Ga nanoribbon/Au schottky diodes. Tác giả: Wu Di, Jiang Yang, Zhang Yugang. Nguồn: Journal of Materials Chemistry, 2012.
  
• 
  Electrical and microstructural analyses of 200 MeV Ag14+ ion irradiated Ni/GaN schottky barrier diode. Tác giả: Kumar Ashish, Haehnel A., Kanjilal D. Nguồn: Applied Physics Letters, 2012.
  
• 
  Schottky diode properties of CuInSe2 films prepared by a two-step growth technique. Tác giả: Tecimer H., Aksu S., Uslu H. Nguồn: Sensors and Actuators A-Physical, 2012.
  
• 
  Arizona inventors develop schottky diode manufacture method. Tác giả: Alexandria Va. Nguồn: US Fed News Service, Including US State News, 2007.
  
• 
  Copper phthalocyanine based schottky diode solar cells. Tác giả: Suresh Rajaputra, Subhash Vallurupalli. Nguồn: Journal of Materials Science, 2007.
  
• 
  Schottky diode saves power in EPC Gen 2 chip from TI. Tác giả: Yoshida Junko. Nguồn: Electronic Engineering Times, 2006.
  
• 
  Phase transition related barrier height in Ga-Si schottky diode. Tác giả: KD. Patel, R. Srivastava. Nguồn: Journal of Materials Science Letters, 1997.
  
• 
  Low frequency characteristics of a quasioptical schottky diode detector – Part III: Higher order theory. Tác giả: A. Waksberg, C. Dreze. Nguồn: International Journal of Infrared and Millimeter Waves, 1985.
  

1. 
   Luận án:
   

• 
  Optical tunnelling studies of schottky diode structures and yttrium barium copper oxide. Tác giả: O'Prey Shane Martin. Trường: Queen's University of Belfast (United Kingdom), 2003.
  
• 
  Characteristics of selenium schottky diode structures. Tác giả: Pan Jin. Trường: McGill University (Canada), 2002.
  
• 
  Frequency-dependent response of diamond schottky barrier diode to large and small electrical signals. Tác giả: Paosawatyanyong Boonchoat. Trường: Michigan State University, 1999.
  

2. 
   TRONG NƯỚC:
   
   1. 
      Báo cáo kết quả nghiên cứu:
      

• 
  Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải – Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ chuyển mạch điốt pin. Chủ nhiệm: Nguyễn Thị Ngọc Minh. Cơ quan chủ trì: Trung tâm KHKT-CN Quân sự, 2007.
  
• 
  Nghiên cứu và đưa vào ứng dụng công nghệ chế tạo phiến silic đơn tinh thể cho sản xuất điốt thông dụng và pin mặt trời. Chủ nhiệm: Phan Văn An. Cơ quan chủ trì: Đề tài cấp nhà nước, 1987.
  

1. 
   Đề tài đã khảo sát thông tin:
   

• 
  Tổng hợp màng mỏng polymer dẫn điện trong suốt poly (3,4-ethylenedioxythiophene) và nghiên cứu khả năng ứng dụng làm điện cực đối trong pin mặt trời. Chủ nhiệm: ThS. Nguyễn Quốc Việt. Cơ quan chủ trì: Trung tâm Nghiên cứu và Phát triển Khoa học Công nghệ Trẻ, 2010.
  

1. 
   Luận án:
   

• 
  Nghiên cứu, khảo sát tạp và một số giải pháp nâng cao tính ổn định của các dao động điốt bán dẫn siêu cao tần. Tác giả: Lê Ngọc Uyên. Tên cơ quan: Trung tâm KHKT&CN Quân sự, 2006.
  

1. 
   Sách:
   

• 
  Phân tử – Điốt. Nguồn: Thông tin Khoa học Kỹ thuật. Nhà xuất bản: Khoa học và Công nghệ, 1993.
  
• 
  Điốt tiếp điểm thông dụng bán dẫn loại CD 101-GD 105. Biến trở màng RT: Yêu cầu kỹ thuật – Có hiệu lực từ 1/7/1979 – TCVN 2326-78: Điốt tiếp điểm thông dụng bán dẫn loại CD 101, 102, 103, 104, 105; TCVN 2327-78: Biến trở màng RT. Nhà xuất bản: Ủy ban Khoa học và Kỹ thuật, 1990.
  

1. 
   Tiêu chuẩn:
   

• 
  TCVN 2326-1978 Điot tiếp điểm thông dụng bán dẫn loại GD 101, 102, 103, 104 và 105. Yêu cầu kỹ thuật.
  

Xin thông báo kết quả khảo sát của chúng tôi.

Trân trọng./.