Nghiên cứu chế tạo vật liệu màng mỏng chứa Platin, Thiếc trên nền dẫn điện và hoạt tính điện hóa của chúng



tải về 2.64 Mb.
trang9/17
Chuyển đổi dữ liệu28.05.2018
Kích2.64 Mb.
1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   17
4.2. Tạo lớp phủ Platin (Pt/C) và hệ Platin, thiếc (PtSn/C) trên nền Graphit xốp.
4.2.1. Khảo sát điều kiện nhiệt độ phân hủy để tạo lớp Pt, PtSn trên nền dẫn điện graphit xốp và chế tạo các lớp phủ Pt, PtSn trên nền dẫn điện graphit xốp.

Sử dụng phương pháp PPM để tạo màng Platin; Platin, thiếc trên nền graphit xốp thì việc nghiên cứu nhiệt độ phân hủy của muối thiếc clorua và axit cloroplatinic (H2PtCl6.6H2O) là rất quan trọng. Để có được nhiệt độ phân hủy của các loại Pt-Resin, Sn-Resin, chúng tôi sử dụng phương pháp phân tích nhiệt và tham khảo một số tài liệu [10] để ra được nhiệt độ phân hủy thích hợp. Các kết quả được thể hiện trên các hình 15 và hình 16.




Hình 15: Giản đồ phân tích nhiệt của SnCl2.2H2O
Hình [15] là giản đồ phân tích nhiệt của SnCl2.2H2O. Quan sát giản đồ ta thấy: SnCl2 bị phân hủy theo 2 giai đoạn:

  • Giai đoạn thứ nhất là quá trình mất nước của SnCl2.2H2O, quá trình này xảy ra trong nhiệt độ từ khoảng 400C đến 2000C, trong đó xuất hiện pic ở 158,370C với độ hụt khối là 18,93%.

  • Giai đoạn thứ hai là quá trình phân hủy nhiệt hoàn toàn của SnCl2 : quá trình này xảy ra trong khoảng nhiệt độ từ 2000C đến 2800C với hao hụt khối lượng là 40.47%. Quá trình này chậm hẳn lại sau 3000C và kết thúc hoàn toàn ở gần 4000C.


1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   17


Cơ sở dữ liệu được bảo vệ bởi bản quyền ©hocday.com 2016
được sử dụng cho việc quản lý

    Quê hương